Transistor SGP30N60

Transistor SGP30N60. Transistor. RoHS: oui. C (in): 1600pF. C (out): 150pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Trr Diode (Min.): 3. Courant de collecteur: 41A. Ic(puls): 112A. Ic(T=100°C): 30A. Marquage sur le boîtier: G30N60. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 250W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 291 ns. Td(on): 44 ns. Technologie: IGBT rapide en technologie NPT. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Fonction: commandes de moteur, onduleur. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.