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Semikron
Transistor IGBT 1200V 40A SKM40GD123D
Référence produit : SKM40GD123D
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 284.22 € | — |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 1200V |
| Courant collecteur (Ic) | 40A |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) | 2.3V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 5.5V (typ.) |
Description technique du produit (SKM40GD123D):
Transistor IGBT 1200V 40A SKM40GD123D. Module IGBT demi-pont de puissance, optimisé pour les applications de commutation à haute tension et courant, offrant une grande fiabilité et efficacité.