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Transistor MOSFET Canal N 30V 0.5A UMH2N

Référence produit : UMH2N
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension drain-source (Vds)30V
Courant de drain (Id)0.5A
Résistance à l'état passant (Rds(on))0.5 Ohm (max)
Tension de seuil (Vgs(th))0.5V à 1.5V

Description technique du produit (UMH2N):

Transistor MOSFET Canal N 30V 0.5A UMH2N. Transistor MOSFET double canal N de faible puissance, conçu pour les applications de commutation générale.