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Transistor MOSFET Canal N 30V 10A SI4599DY-T1-GE3
Référence produit : SI4599DY-T1-GE3
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 2.71 € | — |
| 5 – 9 | 1.70 € | -37% |
| 10 – 19 | 1.52 € | -44% |
| 20 – 49 | 1.43 € | -47% |
| 50+Meilleur prix | 1.36 € | -50% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 30V |
| Courant de drain continu | 10A |
| Résistance à l'état passant | typ. 10mΩ à VGS=10V |
| Tension de seuil de grille | 1V à 2.5V |
| Charge de grille | typ. 15nC |
Description technique du produit (SI4599DY-T1-GE3):
Transistor MOSFET Canal N 30V 10A SI4599DY-T1-GE3. Le SI4599DY-T1-GE3 est un double transistor MOSFET à canal N conçu pour des applications de commutation de puissance à haute efficacité.