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Transistor NPN 100V 3A MJD31CJ
Référence produit : MJD31CJ
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 0.62 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vceo) | 100V |
| Courant collecteur continu (Ic) | 3A |
| Gain en courant continu (hFE) | 10-50 (à Ic=1A, Vce=4V) |
| Tension collecteur-émetteur en saturation (Vce(sat)) | 1.2V (max à Ic=3A, Ib=0.3A) |
| Fréquence de transition (fT) | 3MHz (typique) |
Description technique du produit (MJD31CJ):
Transistor NPN 100V 3A MJD31CJ. Le MJD31CJ est un transistor bipolaire NPN de puissance moyenne, conçu pour des applications de commutation et d'amplification de puissance générale. Il est encapsulé dans un boîtier TO-252 (DPAK) pour montage en surface.