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Transistor IGBT 900V 80A APT80GA90B

Référence produit : APT80GA90B
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vces)900V
Courant collecteur (Ic)80A
Tension collecteur-émetteur à saturation (Vce(sat))2.2V (typ.)
Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th))3.5V - 6.5V

Description technique du produit (APT80GA90B):

Transistor IGBT 900V 80A APT80GA90B. Transistor IGBT de puissance conçu pour les applications de commutation à haute tension et courant.