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Transistor IGBT 1200V 25A APT25GN120BG
Référence produit : APT25GN120BG
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 10.68 € | — |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 1200V |
| Courant collecteur (Ic) | 25A |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) | 2.0V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 4.0V - 6.0V |
Description technique du produit (APT25GN120BG):
Transistor IGBT 1200V 25A APT25GN120BG. Transistor IGBT de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation à haute tension et courant.