Rechercher "DS-ST12"

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Transistors FET et MOSFET canal N (6+)

Transistors FET et MOSFET canal P (4+)

SI4401DY

Transistor canal P SI4401DY, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V. Id (T=25°C): 8.7A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 40V. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. Id (T=100°C): 5.9A. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.013 Ohms. Td(off): 55 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 45ms. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

3.19€

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Quantité en stock: 4

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SI4425BDY

Transistor canal P SI4425BDY, 11.4A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 11.4A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Id (T=100°C): 9.1A. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.01 Ohms. Td(off): 100 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 41ms. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

1.70€

Quantité en stock: 36

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SI4435BDY

Transistor canal P SI4435BDY, 7A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. Id (T=100°C): 5.6A. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.015 Ohms. Td(off): 110 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 60 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

0.69€

Quantité en stock: 2093

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SI4448DY-T1-E3

Transistor canal N SI4448DY-T1-E3, 26A, 32A, 10uA, 17m Ohms, SO, SO-8, 12V. Id (T=100°C): 26A. Id (T=25°C): 32A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 17m Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 12V. C (in): 12350pF. C (out): 2775pF. Dissipation de puissance maxi: 7.8W. Fonction: Power MOSFET. Id(imp): 70A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Id--40...50A t=10s with FR4 board. Td(off): 240 ns. Td(on): 38 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 8V. Trr Diode (Min.): 84 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V...

0.95€

Quantité en stock: 100

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SI4480DY

Transistor canal N SI4480DY, 4.8A, 6A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V. Id (T=100°C): 4.8A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 20uA. Résistance passante Rds On: 0.026 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 80V. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Fonction: Power MOSFET. Id(imp): 40A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 52 ns. Td(on): 12.5 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: -. Vgs(th) min.: 2V...

2.33€

Quantité en stock: 24

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SI4480EY

Transistor canal N SI4480EY, 5.2A, 6.2A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V. Id (T=100°C): 5.2A. Id (T=25°C): 6.2A. Idss (maxi): 20uA. Résistance passante Rds On: 0.026 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 80V. Dissipation de puissance maxi: 3W. Fonction: Power MOSFET. Id(imp): 40Ap. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 52 ns. Td(on): 12.5 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: -. Vgs(th) min.: 2V...

2.18€

Quantité en stock: 16

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SI4840BDY

Transistor canal N SI4840BDY, 9.9A, 12.4A, 5uA, 0.0074 Ohms, SO, SO-8, 40V. Id (T=100°C): 9.9A. Id (T=25°C): 12.4A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 0.0074 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 40V. C (in): 2000pF. C (out): 260pF. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: oui. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 25 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...

1.24€

Quantité en stock: 317

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SI9407BDY

Transistor canal P SI9407BDY, 4.7A, 10nA, SO, SO-8, 60V. Id (T=25°C): 4.7A. Idss (maxi): 10nA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 60V. C (in): 600pF. C (out): 70pF. Dissipation de puissance maxi: 3.2W. Id (T=100°C): 3.8A. Id(imp): 30A. Idss (min): 1nA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Td(off): 35 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

1.11€

Quantité en stock: 44

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SIR474DP

Transistor canal N SIR474DP, 12A, 15A, 10uA, 0.0075 Ohms, PowerPAK SO-8, PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ), 30 v. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 15A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.0075 Ohms. Boîtier: PowerPAK SO-8. Boîtier (selon fiche technique): PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 985pF. C (out): 205pF. Dissipation de puissance maxi: 29.8W. Fonction: 'High-Side Switch'. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 196k Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 19 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET, (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 14 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

2.02€

Quantité en stock: 88

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SUP85N03-3M6P

Transistor canal N SUP85N03-3M6P, 85A, 85A, 250uA, 0.003 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Id (T=100°C): 85A. Id (T=25°C): 85A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.003 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 3535pF. C (out): 680pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 78W. Fonction: alimentation, convertisseur DC/DC. Id(imp): 60.4k Ohms. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: (D-S) 150°C MOSFET. Td(off): 35 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: TrenchFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 41 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 1V...

2.99€

Quantité en stock: 498

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