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AP4501GM

Transistor MOSFET AP4501GM. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Boîtier: SO. Dissipation de puissance maxi: 2W. Fonction: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.050 Ohms (Q2). Marquage sur le boîtier: 4501GM. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Technologie: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Type de canal: N-P...

AP4506GEH

AP4511GD

AP4511GM

AP4525GEH

AP4525GEM

AP4800CGM

Transistor canal N AP4800CGM, 8.4A, 10.4A, 10uA, 10.4A, 0.014 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 8.4A. Id (T=25°C): 10.4A. Idss: 10uA. Idss (maxi): 10.4A. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 450pF. C (out): 120pF. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Fonction: commutation rapide, convertisseur DC/DC. Id(imp): 40A. Marquage sur le boîtier: 4800C G M. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 17 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Power MOSFET'. Trr Diode (Min.): 20 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

AP88N30W

Transistor canal N AP88N30W, 48A, 48A, 200uA, 48m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. Id (T=100°C): 48A. Id (T=25°C): 48A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 48m Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 300V. C (in): 8440pF. C (out): 1775pF. Dissipation de puissance maxi: 312W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 160A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 88N30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 220 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: 'Enhancement-mode Power MOSFET'. Température de fonctionnement: -55°C...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

AP9575AGH

Transistor canal P AP9575AGH, 17A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 1440pF. C (out): 160pF. Dissipation de puissance maxi: 36W. Fonction: -. Id (T=100°C): 11A. Id(imp): 60A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.064 Ohms. Td(off): 45 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Power MOSFET'. Température de fonctionnement: -55°C...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 43 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...

AP9575GP

Transistor canal P AP9575GP, 10A, 250uA, TO-220, 60V. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: TO-220. Tension Vds(max): 60V. Dissipation de puissance maxi: 31.3W. Fonction: -. Id (T=100°C): 16A. Id(imp): 60A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 45 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Power MOSFET'. Température de fonctionnement: -55°C...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET...

AP9930GM

Transistor MOSFET AP9930GM. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Boîtier: SO. Fonction: 2N-ch and 2P-ch POWER MOSFET. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 4. RoHS: oui. Spec info: Rds-on 0.033 Ohms / 0.055 Ohms. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Type de canal: N-P...

AP9962GH

Transistor canal N AP9962GH, 20A, 32A, 250uA, 0.02 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. Id (T=100°C): 20A. Id (T=25°C): 32A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.02 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 1170pF. C (out): 180pF. Dissipation de puissance maxi: 27.8W. Fonction: Commutation rapide, onduleurs, alimentations. Id(imp): 150A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 9962GH. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 20 ns. Td(on): 8 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 24 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

AP9971GD

Transistor canal N AP9971GD, DIP, DIP-8. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Fonction: MOS-N-FET. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: 0.050R (50m Ohms). Type de canal: N...

AP9971GH

Transistor canal N AP9971GH, 16A, 25A, 250uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=100°C): 16A. Id (T=25°C): 25A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.036 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 1700pF. C (out): 160pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 39W. Fonction: Commutation rapide, onduleurs, alimentations. Id(imp): 90A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 9971GH. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 26 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 37 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 3000. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...

AP9971GI

Transistor canal N AP9971GI, 14A, 23A, 25uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220CFM, 60V. Id (T=100°C): 14A. Id (T=25°C): 23A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 0.036 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220CFM. Tension Vds(max): 60V. C (in): 1700pF. C (out): 160pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 31.3W. Id(imp): 80A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: NO. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 26 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 37 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 1V...

AP9971GM

Transistor canal N AP9971GM, 4A, 7A, 0.050R (50m Ohms), SO, SO-8, 60V. Id (T=100°C): 4A. Id (T=25°C): 7A. Résistance passante Rds On: 0.050R (50m Ohms). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 60V. Dissipation de puissance maxi: 4W. Fonction: tf 5.5ns, td(on) 9.6ns, td(off) 30ns. Id(imp): 28A. Marquage sur le boîtier: 9971GM. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N...

APM2054ND

Transistor canal N APM2054ND, 4A, 4A, SOT-89, SOT-89, 20V. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 4A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension Vds(max): 20V. Fonction: td(on) 12ns. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Technologie: 'Enhancement Mode MOSFET'. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

APM4546J

Transistor MOSFET APM4546J. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Boîtier: DIP. Dissipation de puissance maxi: 2W. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 2. Remarque: Rds-on 0.025 Ohms / 0.040 Ohms. RoHS: oui. Technologie: 'Enhancement Mode DUAL MOSFET (N-and P-Channel)'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Type de canal: N-P...

APT15GP60BDQ1G

Transistor canal N APT15GP60BDQ1G, 27A, TO-247, TO-247, 600V. Ic(T=100°C): 27A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 1685pF. C (out): 210pF. Courant de collecteur: 56A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 250W. Fonction: Alimentations à découpage haute fréquence. Ic(puls): 65A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 29 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: POWER MOS 7® IGBT. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 55ms. Type de canal: N...

APT40DQ100BG

Transistor APT40DQ100BG...

APT5010JFLL

Transistor canal N APT5010JFLL, 41A, 1000uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V. Id (T=25°C): 41A. Idss (maxi): 1000uA. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT-227 ). Tension Vds(max): 500V. C (in): 4360pF. C (out): 895pF. Dissipation de puissance maxi: 378W. Fonction: commutation rapide, faible fuite. Id(imp): 164A. Idss (min): 250uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 25 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: Power MOS 7 FREDFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 280 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

APT5010JVR

Transistor canal N APT5010JVR, 44A, 250uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V. Id (T=25°C): 44A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT-227 ). Tension Vds(max): 500V. C (in): 7400pF. C (out): 1000pF. Dissipation de puissance maxi: 450W. Fonction: commutation rapide, faible fuite. Id(imp): 176A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 54 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: Power MOSV. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 620 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v...

APT75GN60BG

Transistor APT75GN60BG...

APT8075BVRG

Transistor canal N APT8075BVRG, 12A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.75 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 800V. C (in): 2600pF. C (out): 270pF. Dissipation de puissance maxi: 260W. Fonction: commutation rapide, faible fuite. Id(imp): 48A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 45 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Power MOSV. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 600 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v...