Transistor canal N APT8075BVRG, 12A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-247, TO-247, 800V

Transistor canal N APT8075BVRG, 12A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-247, TO-247, 800V

Quantité
Prix unitaire
1-2
32.25€
3-4
29.90€
5-9
28.19€
10+
27.04€
Quantité en stock: 8

Transistor canal N APT8075BVRG, 12A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.75 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 800V. C (in): 2600pF. C (out): 270pF. Dissipation de puissance maxi: 260W. Fonction: commutation rapide, faible fuite. Id(imp): 48A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 45 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Power MOSV. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 600 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Produit d'origine constructeur: Advanced Power. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:25

Documentation technique (PDF)
APT8075BVRG
27 paramètres
Id (T=25°C)
12A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.75 Ohms
Boîtier
TO-247
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247
Tension Vds(max)
800V
C (in)
2600pF
C (out)
270pF
Dissipation de puissance maxi
260W
Fonction
commutation rapide, faible fuite
Id(imp)
48A
Idss (min)
25uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
Td(off)
45 ns
Td(on)
12 ns
Technologie
Power MOSV
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source VGS (off) min.
2V
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
600 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Produit d'origine constructeur
Advanced Power