Transistor canal N AP4800CGM, 8.4A, 10.4A, 10uA, 10.4A, 0.014 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 8.4A. Id (T=25°C): 10.4A. Idss: 10uA. Idss (maxi): 10.4A. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 450pF. C (out): 120pF. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Fonction: commutation rapide, convertisseur DC/DC. Id(imp): 40A. Marquage sur le boîtier: 4800C G M. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 17 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Power MOSFET'. Trr Diode (Min.): 20 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Advanced Power. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:25