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BPV11F

BPV11F

Récepteur IR BPV11F. Angle de détection: 15°. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier: 5mm (T-1 3/4). Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Couleur: infrarouge. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±15°. Diamètre extérieur [mm]: 5mm. Délai de coupure tf [µsec.]: 5us. Famille de composants: phototransistor. Largeur extérieure [mm]: 5.75mm. Longueur d'onde (dominante): 930nm. Longueur d'onde dominante [nm]: 930nm. Longueur d'onde: 950nm. Longueur extérieure [mm]: 8.6mm. Nombre de bornes: 3. Remarque: 930nm 15°. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 6us. Température maxi: +100°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 70V. Épaisseur extérieure [mm]: 5.75mm...

0.90€
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BPW17N

BPW17N

Récepteur IR BPW17N. Angle de détection: 12.5°. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier: 1.8mm (T-3/4). C (out): 8pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Courant de collecteur: 50mA. Courant maxi: 100mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±12°. Diamètre extérieur [mm]: 1.8mm. Diamètre/dimensions: 1.8mm. Diamètre: 1.8mm. Délai de coupure tf [µsec.]: 5us. Famille de composants: phototransistor. Fonction: Phototransistor. Id(imp): 100mA. Largeur extérieure [mm]: 2.4mm. Longueur d'onde (dominante): 825nm. Longueur d'onde dominante [nm]: 825nm. Longueur d'onde: 780nm. Longueur extérieure [mm]: 3.3mm. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Remarque: t(on) 4.8us, t(off) 5.0us. RoHS: oui. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 4.8us. Température de fonctionnement: -40...+100°C. Température maxi: +100°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 32V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 32V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: NPN. VECO: 5V. Épaisseur extérieure [mm]: 3.4mm...

0.64€
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BPX81

BPX81

Récepteur IR BPX81. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier: 2.4x2.4mm. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Courant de collecteur: 50mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±18°. Diamètre extérieur [mm]: -. Délai de coupure tf [µsec.]: 6us. Famille de composants: phototransistor. Ic(puls): 200mA. Largeur extérieure [mm]: 2.4mm. Longueur d'onde dominante [nm]: 850nm. Longueur extérieure [mm]: 2.4mm. Nombre de bornes: 2. Remarque: photo-transistor. RoHS: oui. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 6us. Température de fonctionnement: -40...+80°C. Température maxi: +80°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 32V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 35V. Tr: 7us. Épaisseur extérieure [mm]: 3.6mm...

1.99€
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QSE113

QSE113

Récepteur IR QSE113. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±25°. Diamètre extérieur [mm]: -. Délai de coupure tf [µsec.]: 8us. Famille de composants: phototransistor. Largeur extérieure [mm]: 4.44mm. Longueur d'onde dominante [nm]: 880nm. Longueur extérieure [mm]: 5.08mm. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 8us. Température maxi: +100°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Épaisseur extérieure [mm]: 2.54mm...

1.47€
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L-93DP3BT

L-93DP3BT

Récepteur IR L-93DP3BT. Angle de diffusion: 30°. Angle de détection: 30°. Boîtier: LED 3mm. Couleur: infrarouge. Courant de collecteur: 35mA. Dissipation de puissance maxi: 0.1W. Distance entre connexions (pas): 2.54mm. Famille de composants: phototransistor infrarouge. Longueur d'onde (dominante): 940nm. Longueur d'onde: 940nm. Matériau: transparent. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.8V. Tf (type): 15us. Tr: 15us. Type de lentille: bleu transparent. Type de transistor: NPN. VECO: 5V...

0.25€
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L-53P3C

L-53P3C

Récepteur IR L-53P3C. Angle de détection: 30°. Boîtier (selon fiche technique): cylindrique convexe T-1 3/4. Boîtier: LED 5mm. Couleur: infrarouge. Courant de collecteur: 3mA. Dissipation de puissance maxi: 0.1W. Divers: phototransistor infrarouge (récepteur). Famille de composants: phototransistor infrarouge. Fonction: phototransistor NPN. Longueur d'onde (dominante): 940nm. Longueur d'onde: 940nm. Matériau: transparent. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Spec info: lentille transparente. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.8V. Tf (type): 15us. Tr: 15us. Type de canal: N. Type de lentille: transparente. VECO: 5V...

0.29€
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BP103-4

BP103-4

Récepteur IR BP103-4. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier: TO-18. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±55°. Diamètre extérieur [mm]: 4.3mm. Délai de coupure tf [µsec.]: 9us. Famille de composants: phototransistor. Largeur extérieure [mm]: 5.5mm. Longueur d'onde dominante [nm]: 850nm. Longueur extérieure [mm]: 5.5mm. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 9us. Température maxi: +80°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Épaisseur extérieure [mm]: 3.6mm...

3.32€
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VEMT3700F-GS08

VEMT3700F-GS08

Récepteur IR VEMT3700F-GS08. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier: 3.5x2.8x1.75mm. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±60°. Diamètre extérieur [mm]: -. Délai de coupure tf [µsec.]: 6us. Famille de composants: phototransistor. Largeur extérieure [mm]: 2.8mm. Longueur d'onde dominante [nm]: 940nm. Longueur extérieure [mm]: 3.5mm. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 6us. Température maxi: +100°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 70V. Épaisseur extérieure [mm]: 1.75mm...

0.97€
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SFH309-5

SFH309-5

Récepteur IR SFH309-5. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier: 3mm (T-1). Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±12°. Diamètre extérieur [mm]: 3mm. Délai de coupure tf [µsec.]: 8us. Famille de composants: phototransistor. Largeur extérieure [mm]: 4mm. Longueur d'onde dominante [nm]: 860nm. Longueur extérieure [mm]: 5.2mm. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 8us. Température maxi: +100°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 35V. Épaisseur extérieure [mm]: 4mm...

0.88€
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TEPT4400

TEPT4400

Récepteur IR TEPT4400. Angle de détection: 30°. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier: 3mm (T-1). Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±30°. Diamètre extérieur [mm]: 3mm. Diamètre: 3mm. Délai de coupure tf [µsec.]: -. Famille de composants: phototransistor. Largeur extérieure [mm]: 3.2mm. Longueur d'onde dominante [nm]: 570nm. Longueur extérieure [mm]: 4.4mm. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: -. Température maxi: +85°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 6V. Type de lentille: transparente. Épaisseur extérieure [mm]: 3.2mm...

1.18€
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SFH309FA-4

SFH309FA-4

Récepteur IR SFH309FA-4. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier: 3mm (T-1). Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±12°. Diamètre extérieur [mm]: 3mm. Délai de coupure tf [µsec.]: 7us. Famille de composants: phototransistor. Largeur extérieure [mm]: 4mm. Longueur d'onde dominante [nm]: 900nm. Longueur extérieure [mm]: 5.2mm. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 7us. Température maxi: +100°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 35V. Épaisseur extérieure [mm]: 4mm...

1.18€
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BPW96B

BPW96B

Récepteur IR BPW96B. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier: 5mm (T-1 3/4). Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±20°. Diamètre extérieur [mm]: 5mm. Délai de coupure tf [µsec.]: 2.3us. Famille de composants: phototransistor. Largeur extérieure [mm]: 5.75mm. Longueur d'onde dominante [nm]: 850nm. Longueur extérieure [mm]: 8.6mm. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 2us. Température maxi: +100°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 70V. Épaisseur extérieure [mm]: 5.75mm...

0.65€
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BPW77NB

BPW77NB

Récepteur IR BPW77NB. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier: TO-18. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±10°. Diamètre extérieur [mm]: 4.69mm. Délai de coupure tf [µsec.]: 5us. Famille de composants: phototransistor. Largeur extérieure [mm]: 5.5mm. Longueur d'onde dominante [nm]: 850nm. Longueur extérieure [mm]: 6.15mm. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 6us. Température maxi: +125°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 70V. Épaisseur extérieure [mm]: 5.5mm...

5.03€
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L-53P3BT

L-53P3BT

Récepteur IR L-53P3BT. Boîtier (selon fiche technique): cylindrique convexe T-1 3/4. Boîtier: LED 5mm. Couleur: infrarouge. Courant de collecteur: 3mA. Dissipation de puissance maxi: 0.1W. Divers: phototransistor infrarouge (récepteur). Fonction: phototransistor NPN. Longueur d'onde (dominante): 940nm. Matériau: bleu transparent. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Spec info: lentille transparente bleue. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.8V. Tf (type): 15us. Tr: 15 ns. Type de canal: N. VECO: 5V...

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BPY62-4

BPY62-4

Récepteur IR BPY62-4. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier: TO-18. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±8°. Diamètre extérieur [mm]: 4.8mm. Délai de coupure tf [µsec.]: 9us. Famille de composants: phototransistor. Largeur extérieure [mm]: 5.6mm. Longueur d'onde dominante [nm]: 830nm. Longueur extérieure [mm]: 5.4mm. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 9us. Température maxi: +125°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 35V. Épaisseur extérieure [mm]: 5.6mm...

7.69€
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