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IRF5210PBF

Transistor canal P IRF5210PBF, -100V, 40A, TO-220AB. Tension drain - source (Vds): -100V. Courant de drain maxi: 40A. Boîtier: TO-220AB. Résistance passante Rds On: 0.06 Ohms. Type de canal: P. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

IRF5210S

Transistor canal P IRF5210S, 38A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. Id (T=25°C): 38A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 2860pF. C (out): 800pF. Dissipation de puissance maxi: 3.8W. Fonction: commutation rapide. Id (T=100°C): 24A. Id(imp): 140A. Idss (min): 50uA. Marquage sur le boîtier: F5210S. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 72 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 170 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

IRF5210SPBF

Transistor canal P IRF5210SPBF, D²-PAK, TO-263, -100V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2700pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -40A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -24A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 79 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: F5210S. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 17 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V...

IRF5305

Transistor canal P IRF5305, TO-220, 31A, 250uA, TO-220AB, 55V. Boîtier: TO-220. Id (T=25°C): 31A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 1200pF. C (out): 520pF. Charge: 42nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: -31A. Dissipation de puissance maxi: 110W. Fonction: commutation rapide. Id (T=100°C): 22A. Id(imp): 110A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Puissance: 110W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.06 Ohms. Résistance thermique du boîtier: 1.4K/W. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Td(off): 39 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: -55V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 71 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

IRF5305PBF

Transistor canal P IRF5305PBF, -55V, 31A, TO-220AB. Tension drain - source (Vds): -55V. Courant de drain maxi: 31A. Boîtier: TO-220AB. Puissance: 110W. Résistance passante Rds On: 0.06 Ohms. Type de canal: P. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

IRF5305SPBF

Transistor canal P IRF5305SPBF, D²-PAK, TO-263, -55V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1200pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -31A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -16A. Dissipation maximale Ptot [W]: 110W. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: F5305S. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V...

IRF5305STRLPBF

Transistor canal P IRF5305STRLPBF, D²-PAK, TO-263, -55V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1200pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -31A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -16A. Dissipation maximale Ptot [W]: 110W. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: F5305S. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V...

IRF6215SPBF

Transistor canal P IRF6215SPBF, 13A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 150V. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 150V. C (in): 860pF. C (out): 220pF. Dissipation de puissance maxi: 110W. Fonction: commutation rapide. Id (T=100°C): 9A. Id(imp): 44A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.29 Ohms. Td(off): 53 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 160 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

IRF7104

Transistor canal P IRF7104, SO, SO-8, -20V. Boîtier: SO. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Capacité de grille Ciss [pF]: 290pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -2.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ -1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 90 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Fonction: 2xP-CH 20V. Marquage du fabricant: F7104. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 2. RoHS: non. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 40 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V...

IRF7204

Transistor canal P IRF7204, SO8. Boîtier: SO8. Charge: 25nC. Courant de drain: -5.3A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Puissance: 2.5W. RoHS: oui. Résistance thermique: 50K/W. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: -20V. Tension grille-source: 12V, ±12V. Type de transistor: P-MOSFET, HEXFET...

IRF7204PBF

Transistor canal P IRF7204PBF, SO8, -20V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Capacité de grille Ciss [pF]: 860pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -5.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ -5.3A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 150 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: F7204. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.5V...

IRF7205PBF

Transistor canal P IRF7205PBF, 4.6A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 4.6A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 870pF. C (out): 720pF. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Fonction: commutation rapide. Id (T=100°C): 3.7A. Id(imp): 15A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.07 Ohms. Td(off): 97 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...

IRF7233

Transistor canal P IRF7233, SO8, -12V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -12V. Capacité de grille Ciss [pF]: 6000pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -9.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.6W. Délai de coupure tf[nsec.]: 77 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: F7233. Nombre de bornes: 8. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 26 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.5V...

IRF7233PBF

Transistor canal P IRF7233PBF, SO8, -12V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -12V. Capacité de grille Ciss [pF]: 6000pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -9.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -9.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 77 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: F7233. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 26 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.5V...

IRF7304

Transistor canal P IRF7304, SO, SO-8. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Fonction: transistor MOSFET canal P. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 2. Technologie: HEXFET Power MOSFET...

IRF7304PBF

Transistor canal P IRF7304PBF, SO8, -20V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Capacité de grille Ciss [pF]: 610pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -4.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ -2.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 51 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: F7304. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.4 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.5V...

IRF7306TRPBF

Transistor canal P IRF7306TRPBF, SO8, -30V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -30V. : 'enhanced'. Capacité de grille Ciss [pF]: 440pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -3.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ -1.8A. Courant de drain: -3.6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: F7306. Montage/installation: SMD. Nombre de bornes: 8. Polarité: unipolaire. Puissance: 2W. RoHS: oui. Technologie: HEXFET®. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Tension drain - source: -30V. Type de conditionnement: bobine. Type de transistor: P-MOSFET...

IRF7314

Transistor canal P IRF7314, SO, SO-8. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Charge: 19nC. Courant de drain: -5.3A. Fonction: transistor MOSFET canal P. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Polarité: unipolaire. Puissance: 2W. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Résistance thermique: 62.5K/W. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: -20V. Tension grille-source: 12V, ±12V. Type de transistor: HEXFET, P-MOSFET x2...

IRF7314PBF

Transistor canal P IRF7314PBF, SO8, -20V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Capacité de grille Ciss [pF]: 780pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -5.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.058 Ohms @ -2.9A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 63 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: F7314. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 22 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.5V...

IRF7316

Transistor canal P IRF7316, SO, SO-8. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Fonction: IDM--30Ap. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Technologie: HEXFET Power MOSFET...

IRF7316PBF

Transistor canal P IRF7316PBF, SO8, -30V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Capacité de grille Ciss [pF]: 710pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -3.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.098 Ohms @ -3.6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 51 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: F7316. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 19 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

IRF7328

IRF7342

Transistor canal P IRF7342, SO, SO-8. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Charge: 26nC. Courant de drain: -3.4A. Dissipation de puissance maxi: 2W. Equivalences: IRF7342PBF. Fonction: IDM--27Ap. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Polarité: unipolaire. Puissance: 2W. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Résistance thermique: 62.5K/W. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension drain - source: -55V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Type de canal: P. Type de transistor: HEXFET, P-MOSFET x2...

IRF7342PBF

Transistor canal P IRF7342PBF, SO8, -55V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 690pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -3.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ -3.4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 64 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: F7342. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 22 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V...