Transistor canal P IRF5210SPBF, D²-PAK, TO-263, -100V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2700pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -40A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -24A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 79 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: F5210S. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 17 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 23:16