Transistor canal P IRF7342, SO, SO-8. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Charge: 26nC. Courant de drain: -3.4A. Dissipation de puissance maxi: 2W. Equivalences: IRF7342PBF. Fonction: IDM--27Ap. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Polarité: unipolaire. Puissance: 2W. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Résistance thermique: 62.5K/W. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension drain - source: -55V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Type de canal: P. Type de transistor: HEXFET, P-MOSFET x2. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27