Transistor canal P IRF5305STRLPBF, D²-PAK, TO-263, -55V
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Transistor canal P IRF5305STRLPBF, D²-PAK, TO-263, -55V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1200pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -31A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -16A. Dissipation maximale Ptot [W]: 110W. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: F5305S. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Produit d'origine constructeur: Infineon. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 21:53
IRF5305STRLPBF
17 paramètres
Boîtier
D²-PAK
Boîtier (norme JEDEC)
TO-263
Tension drain-source Uds [V]
-55V
Capacité de grille Ciss [pF]
1200pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
-31A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.06 Ohms @ -16A
Dissipation maximale Ptot [W]
110W
Délai de coupure tf[nsec.]
39 ns
Famille de composants
MOSFET, P-MOS
Marquage du fabricant
F5305S
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
14 ns
Température maxi
+175°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
-4V
Produit d'origine constructeur
Infineon