Transistor canal P IRF7314, SO, SO-8
Quantité
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Transistor canal P IRF7314, SO, SO-8. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Charge: 19nC. Courant de drain: -5.3A. Fonction: transistor MOSFET canal P. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Polarité: unipolaire. Puissance: 2W. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Résistance thermique: 62.5K/W. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: -20V. Tension grille-source: 12V, ±12V. Type de transistor: HEXFET, P-MOSFET x2. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27
IRF7314
17 paramètres
Boîtier
SO
Boîtier (selon fiche technique)
SO-8
Charge
19nC
Courant de drain
-5.3A
Fonction
transistor MOSFET canal P
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
8
Polarité
unipolaire
Puissance
2W
Quantité par boîtier
2
RoHS
oui
Résistance thermique
62.5K/W
Technologie
HEXFET®
Tension drain - source
-20V
Tension grille-source
12V, ±12V
Type de transistor
HEXFET, P-MOSFET x2
Produit d'origine constructeur
International Rectifier