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IRF840SPBF

IRF840SPBF

Transistor canal N IRF840SPBF, D²-PAK, TO-263, 500V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 49 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF840SPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

2.13€
Quantité en stock: 9
STP8NC70ZFP

STP8NC70ZFP

Transistor canal N STP8NC70ZFP, 4.3A, 6.8A, 50uA, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 700V. Id (T=100°C): 4.3A. Id (T=25°C): 6.8A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.9 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 700V. C (in): 2350pF. C (out): 180pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: Zener-Protected. Id(imp): 27A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. Td(on): 30 ns. Technologie: PowerMESH™III MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 680 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 3V...

5.79€
Quantité en stock: 3
2SK363

2SK363

Transistor canal N 2SK363, 100uA, 3.7 Ohms, TO-92, TO-92. Idss: 100uA. Résistance passante Rds On: 3.7 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. C (in): 700pF. C (out): 75pF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 125 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Trr Diode (Min.): 850 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

5.94€
Produit obsolète
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BTS432E2

BTS432E2

Transistor canal N BTS432E2, 38m Ohms, TO-220, TO-220-5-11, 42V. Résistance passante Rds On: 38m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-5-11. Tension drain-source Uds [V]: 42V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 11A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.038 Ohms @ 2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 80us. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BTS432E2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 5. Nombre de connexions: 5. RoHS: oui. Spec info: PROFET N-MOS 43V 11A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 300us. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -...

14.17€
Quantité en stock: 18
BTS436L2GATMA1

BTS436L2GATMA1

Transistor canal N BTS436L2GATMA1, 38m Ohms, D²-PAK/5, PG-TO263-5-2, TO-263, 41V. Résistance passante Rds On: 38m Ohms. Boîtier: D²-PAK/5. Boîtier (selon fiche technique): PG-TO263-5-2. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 41V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 9.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.072 Ohm @ 2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Délai de coupure tf[nsec.]: 250us. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: -. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Spec info: N-MOS 43V 9.8A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 200us. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -...

8.50€
+865 rapidement
Quantité en stock: 32
BTS740S2

BTS740S2

Transistor canal N BTS740S2, SO, 30 milliOhms, PG-DSO20, 34V. Boîtier: SO. Résistance passante Rds On: 30 milliOhms. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier (selon fiche technique): PG-DSO20. Tension drain-source Uds [V]: 34V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 2x5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.03 Ohms @ 5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 3.8W. Délai de coupure tf[nsec.]: 200us. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: 'Smart High-Side Power Switch'. Marquage du fabricant: BTS740S2. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 20. RoHS: oui. Sortie: 2db N-MOS 43V 5.5A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 150us. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -. VCC: 5...34V...

16.65€
Quantité en stock: 22
IPB014N06NATMA1

IPB014N06NATMA1

Transistor canal N IPB014N06NATMA1, 2.1M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO263-7. Résistance passante Rds On: 2.1M Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO263-7. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 214W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: OptiMOS Power. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

5.08€
Quantité en stock: 44
IPN70R600P7SATMA1

IPN70R600P7SATMA1

Transistor canal N IPN70R600P7SATMA1, 6m Ohms, PG-SOT223. Résistance passante Rds On: 6m Ohms. Boîtier (selon fiche technique): PG-SOT223. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 6.9W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.83€
Quantité en stock: 19
IRF3205ZPBF

IRF3205ZPBF

Transistor canal N IRF3205ZPBF, TO-220AB, 55V, 0.0049 Ohm. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 55V. Résistance passante Rds On: 0.0049 Ohm. : 'enhanced'. Charge: 110nC. Courant de drain maxi: 75A. Courant de drain: 75A. Montage/installation: THT. Polarité: unipolaire. Puissance: 170W. RoHS: oui. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: ±20V. Type de canal: N. Type de conditionnement: tubus. Type de transistor: N-MOSFET...

2.75€
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Quantité en stock: 10
IRF3415PBF

IRF3415PBF

Transistor canal N IRF3415PBF, TO-220., 150V, 0.042 Ohms. Boîtier: TO-220.. Tension drain - source (Vds): 150V. Résistance passante Rds On: 0.042 Ohms. : 'enhanced'. Charge: 133.3nC. Courant de drain maxi: 43A. Courant de drain: 43A. Montage/installation: THT. Polarité: unipolaire. Puissance: 200W. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: 150V. Tension grille-source: ±20V. Type de canal: N. Type de conditionnement: tubus. Type de transistor: N-MOSFET...

4.22€
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Quantité en stock: 10
IRFB7440PBF

IRFB7440PBF

Transistor canal N IRFB7440PBF, TO-220AB, 40V, 0.002 Ohms. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 40V. Résistance passante Rds On: 0.002 Ohms. : 'enhanced'. Charge: 90nC. Courant de drain maxi: 172A/120A. Courant de drain: 208A. Montage/installation: THT. Polarité: unipolaire. Puissance: 208W. RoHS: oui. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: 40V. Tension grille-source: ±20V. Type de canal: N. Type de conditionnement: tubus. Type de transistor: N-MOSFET...

3.72€
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Quantité en stock: 5