Transistor canal N IPN70R600P7SATMA1, 6m Ohms, PG-SOT223

Transistor canal N IPN70R600P7SATMA1, 6m Ohms, PG-SOT223

Quantité
Prix unitaire
1-9
1.81€
10-24
1.65€
25-49
1.56€
50-99
1.47€
100+
1.30€
Quantité en stock: 21

Transistor canal N IPN70R600P7SATMA1, 6m Ohms, PG-SOT223. Résistance passante Rds On: 6m Ohms. Boîtier (selon fiche technique): PG-SOT223. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 6.9W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45

Documentation technique (PDF)
IPN70R600P7SATMA1
11 paramètres
Résistance passante Rds On
6m Ohms
Boîtier (selon fiche technique)
PG-SOT223
Conditionnement
rouleau
Dissipation de puissance maxi
6.9W
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Température de fonctionnement
-40...+150°C
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Produit d'origine constructeur
Infineon Technologies