Transistor canal N IRF3415PBF, TO-220., 150V, 0.042 Ohms
Quantité
Prix unitaire
1-4
4.17€
5-9
3.01€
10-19
2.84€
20-49
2.73€
50+
2.62€
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Transistor canal N IRF3415PBF, TO-220., 150V, 0.042 Ohms. Boîtier: TO-220.. Tension drain - source (Vds): 150V. Résistance passante Rds On: 0.042 Ohms. : 'enhanced'. Charge: 133.3nC. Courant de drain maxi: 43A. Courant de drain: 43A. Montage/installation: THT. Polarité: unipolaire. Puissance: 200W. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: 150V. Tension grille-source: ±20V. Type de canal: N. Type de conditionnement: tubus. Type de transistor: N-MOSFET. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45
IRF3415PBF
17 paramètres
Boîtier
TO-220.
Tension drain - source (Vds)
150V
Résistance passante Rds On
0.042 Ohms
'enhanced'
Charge
133.3nC
Courant de drain maxi
43A
Courant de drain
43A
Montage/installation
THT
Polarité
unipolaire
Puissance
200W
Technologie
HEXFET®
Tension drain - source
150V
Tension grille-source
±20V
Type de canal
N
Type de conditionnement
tubus
Type de transistor
N-MOSFET
Produit d'origine constructeur
Infineon Technologies