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3LN01SS

3LN01SS

Transistor canal N 3LN01SS, 0.15A, 10uA, 3.7 Ohms, SMD, SSFP, 30 v. Id (T=25°C): 0.15A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 3.7 Ohms. Boîtier: SMD. Boîtier (selon fiche technique): SSFP. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 7pF. C (out): 5.9pF. Dissipation de puissance maxi: 0.15W. Fonction: Ultrahigh-Speed Switching. Id(imp): 0.6A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 150 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: transistor MOSFET au silicium. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.3V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.4V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.27€
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3SK293-TE85L-F

3SK293-TE85L-F

Transistor canal N 3SK293-TE85L-F, SOT-343, 12.5V. Boîtier: SOT-343. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 12.5V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 30mA. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: -. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: -. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 4. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: -. Température maxi: +125°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1V...

1.47€
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ALF08N20V

ALF08N20V

Transistor canal N ALF08N20V, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10mA. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 200V. C (in): 500pF. C (out): 300pF. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: AUDIO POWER MOSFET. Idss (min): 10mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) ALF08P20V. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 14V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

35.05€
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AO3400A

AO3400A

Transistor canal N AO3400A, SOT-23 ( TO-236 ), 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22M Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Id (T=100°C): 4.7A. Id (T=25°C): 5.7A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 5.7A. Résistance passante Rds On: 22M Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. : 'enhanced'. C (in): 630pF. C (out): 75pF. Charge: 6nC. Courant de drain: 4.7A. Dissipation de puissance maxi: 1uA. Fonction: Commutation ou applications PWM. Id(imp): 25A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 1.4W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 21.5 ns. Td(on): 3.2 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Tension drain - source: 30V. Tension grille-source: ±12V. Tension grille/source Vgs: 12V. Trr Diode (Min.): 16.8 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

0.27€
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AO3404A

AO3404A

Transistor canal N AO3404A, 4.9A, 5.8A, 5uA, 23.4m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Id (T=100°C): 4.9A. Id (T=25°C): 5.8A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 23.4m Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 621pF. C (out): 118pF. Dissipation de puissance maxi: 1.4W. Id(imp): 30A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 15.1 ns. Td(on): 4.5 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 15.5 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...

0.29€
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AO3407A

AO3407A

Transistor canal N AO3407A, 3.5A, 4.1A, 1uA, 4.1A, 0.052 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Id (T=100°C): 3.5A. Id (T=25°C): 4.1A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 4.1A. Résistance passante Rds On: 0.052 Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 520pF. C (out): 100pF. Dissipation de puissance maxi: 1.4W. Fonction: Commutation ou applications PWM. Id(imp): 25A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 19 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 11 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

3.13€
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AO3416

AO3416

Transistor canal N AO3416, 5.2A, 6.5A, 5uA, 18M Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Id (T=100°C): 5.2A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 18M Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 20V. C (in): 1160pF. C (out): 187pF. Dissipation de puissance maxi: 1.4W. Fonction: faible charge d'entrée. Id(imp): 30A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Protection ESD. Td(off): 51.7 ns. Td(on): 6.2 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 8V. Trr Diode (Min.): 17.7 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V...

0.24€
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AO4430

AO4430

Transistor canal N AO4430, 15A, 18A, 5uA, 0.0047 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 15A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 0.0047 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 6060pF. C (out): 638pF. Dissipation de puissance maxi: 3W. Fonction: Low side switch in Notebook CPU core power converter. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: résistance de grille ultra-faible. Td(off): 51.5 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect (SRFET)'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 33.5 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V...

1.56€
Quantité en stock: 55
AO4710

AO4710

Transistor canal N AO4710, 10A, 12.7A, 20mA, 0.0098 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 12.7A. Idss (maxi): 20mA. Résistance passante Rds On: 0.0098 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1980pF. C (out): 317pF. Dissipation de puissance maxi: 3.1W. Fonction: FET dans SMPS, commutation de charge. Id(imp): 60A. Idss (min): 0.02mA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 27 ns. Td(on): 5.5 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect (SRFET)'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 12V. Trr Diode (Min.): 11.2 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.3V. Vgs(th) min.: 1.5V...

1.42€
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AO4714

AO4714

Transistor canal N AO4714, 16A, 20A, 0.1mA, 20mA, 0.0039 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 16A. Id (T=25°C): 20A. Idss: 0.1mA. Idss (maxi): 20mA. Résistance passante Rds On: 0.0039 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 3760pF. C (out): 682pF. Dissipation de puissance maxi: 3W. Id(imp): 100A. Idss (min): 0.1mA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 34 ns. Td(on): 9.5 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect (SRFET)'. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 18 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1.5V...

0.93€
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AO4716

AO4716

Transistor canal N AO4716, 9.6A, 12A, 20mA, 0.0058 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 9.6A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 20mA. Résistance passante Rds On: 0.0058 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2154pF. C (out): 474pF. Dissipation de puissance maxi: 3.1W. Fonction: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. Id(imp): 180A. Idss (min): 0.1mA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 25.2 ns. Td(on): 6.8 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect (SRFET)'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 12 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.3V...

1.28€
Quantité en stock: 48
AO4828

AO4828

Transistor canal N AO4828, SO, 3.6A, 4.5A, 5uA, 46m Ohms, SO-8, 60V. Boîtier: SO. Id (T=100°C): 3.6A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 46m Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 60V. : 'enhanced'. Charge: 4.3nC. Courant de drain: 4.5A. Dissipation de puissance maxi: 2W. Fonction: Transistor MOSFET. Rds (ON) très faible. Id(imp): 20A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Nombre de sorties: 2. Puissance: 1.28W. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 60V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source VGS (off) min.: 4.7V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 27.5us. Type de canal: N. Type de transistor: N-MOSFET x2. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...

0.71€
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AOD408

AOD408

Transistor canal N AOD408, 18A, 18A, 5uA, 13.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Id (T=100°C): 18A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 13.6m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1040pF. C (out): 180pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 60W. Id(imp): 40A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: D408. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) AOD405. Td(off): 17.4 ns. Td(on): 4.5 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 19 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 2500. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V...

1.19€
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AOD444

AOD444

Transistor canal N AOD444, 12A, 12A, 5uA, 47m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 47m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 450pF. C (out): 61pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 20W. Id(imp): 30A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 16 ns. Td(on): 4.2 ns. Technologie: 'Latest Trench Power MOSFET technology'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 27.6 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 2500. Vgs(th) min.: 1V...

0.91€
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