Transistor canal N AO4714, 16A, 20A, 0.1mA, 20mA, 0.0039 Ohms, SO, SO-8, 30 v

Transistor canal N AO4714, 16A, 20A, 0.1mA, 20mA, 0.0039 Ohms, SO, SO-8, 30 v

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.92€
5-49
0.77€
50-99
0.68€
100-199
0.61€
200+
0.51€
Quantité en stock: 882

Transistor canal N AO4714, 16A, 20A, 0.1mA, 20mA, 0.0039 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 16A. Id (T=25°C): 20A. Idss: 0.1mA. Idss (maxi): 20mA. Résistance passante Rds On: 0.0039 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 3760pF. C (out): 682pF. Dissipation de puissance maxi: 3W. Id(imp): 100A. Idss (min): 0.1mA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 34 ns. Td(on): 9.5 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect (SRFET)'. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 18 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1.5V. Produit d'origine constructeur: Alpha & Omega Semiconductors. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:25

Documentation technique (PDF)
AO4714
28 paramètres
Id (T=100°C)
16A
Id (T=25°C)
20A
Idss
0.1mA
Idss (maxi)
20mA
Résistance passante Rds On
0.0039 Ohms
Boîtier
SO
Boîtier (selon fiche technique)
SO-8
Tension Vds(max)
30 v
C (in)
3760pF
C (out)
682pF
Dissipation de puissance maxi
3W
Id(imp)
100A
Idss (min)
0.1mA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
8
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
34 ns
Td(on)
9.5 ns
Technologie
'Enhancement Mode Field Effect (SRFET)'
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
18 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
1.5V
Produit d'origine constructeur
Alpha & Omega Semiconductors