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STP7NK80Z-ZENER

Transistor canal N STP7NK80Z-ZENER, TO-220AB, 800V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 800V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1138pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 5.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 2.6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: P7NK80Z. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V...

3.55€

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STP7NK80ZFP

Transistor canal N STP7NK80ZFP, 800V, 1.5 Ohms, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Tension drain - source (Vds): 800V. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Id (T=100°C): 3.3A. Id (T=25°C): 5.2A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 50uA. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1138pF. C (out): 122pF. Courant de drain maxi: 5.2A. Dissipation de puissance maxi: 30W. Fonction: 'EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY'. Id(imp): 20.8A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P7NK80ZFP. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Td(off): 45 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Trr Diode (Min.): 530 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3.75V...

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STP80NF06

Transistor canal N STP80NF06, 80A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.0065 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 3850pF. C (out): 800pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 300W. Fonction: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 320A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P80NF06. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 70 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.46€

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STP80NF10

Transistor canal N STP80NF10, TO-220AB, 100V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 5500pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 80A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.012 Ohms @ 40A. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Délai de coupure tf[nsec.]: 116 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: P80NF10. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 26 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

4.73€

Quantité en stock: 10

STP80NF12

Transistor canal N STP80NF12, 60A, 80A, 10uA, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. Id (T=100°C): 60A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.013 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 120V. C (in): 4300pF. C (out): 600pF. Dissipation de puissance maxi: 300W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 320A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P80NF12. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 134 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 155 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.69€

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STP80NF55-08

Transistor canal N STP80NF55-08, 57A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 57A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.0065 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 3850pF. C (out): 800pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 300W. Fonction: commande de moteur, amplificateur audio. Id(imp): 320A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 70 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 2V...

3.90€

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STP80NF70

Transistor canal N STP80NF70, 68A, 98A, 10uA, 0.0098 Ohms, TO-220, TO-220, 68V. Id (T=100°C): 68A. Id (T=25°C): 98A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.0098 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 68V. C (in): 2550pF. C (out): 550pF. Dissipation de puissance maxi: 190W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 392A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 80NF70. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 90 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.51€

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STP8NK80ZFP

Transistor canal N STP8NK80ZFP, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V. Id (T=100°C): 3.9A. Id (T=25°C): 6.2A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.3 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO220FP. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1320pF. C (out): 143pF. Dissipation de puissance maxi: 30W. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Id(imp): 24.8A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P8NK80ZFP. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 48 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH™Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 460 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

2.17€

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STP9NB60

Transistor canal N STP9NB60, 5.7A, 9A, 9A, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 9A. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: transistor MOSFET N. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: PowerMesh. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

6.76€

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STP9NK50Z

Transistor canal N STP9NK50Z, 4.5A, 7.2A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-220, TO-220AC, 500V. Id (T=100°C): 4.5A. Id (T=25°C): 7.2A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.72 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Tension Vds(max): 500V. C (in): 910pF. C (out): 125pF. Dissipation de puissance maxi: 110W. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28.8A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P9NK50Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 45 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 238 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

1.58€

Quantité en stock: 79

STP9NK50ZFP

Transistor canal N STP9NK50ZFP, 4.5A, 7.2A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. Id (T=100°C): 4.5A. Id (T=25°C): 7.2A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.72 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 500V. C (in): 910pF. C (out): 125pF. Dissipation de puissance maxi: 30W. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28.8A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P9NK50ZFP. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 45 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 238 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

1.42€

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STP9NK60Z

Transistor canal N STP9NK60Z, 4.4A, 7A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 4.4A. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1110pF. C (out): 135pF. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28A. Idss (min): 1us. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 43 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 480 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

2.00€

Quantité en stock: 25

STP9NK60Z-ZENER

Transistor canal N STP9NK60Z-ZENER, TO-220AB, 600V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1100pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.95 Ohms @ 3.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: P9NK60Z. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 19 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V...

2.95€

Quantité en stock: 63

STP9NK60ZFP

Transistor canal N STP9NK60ZFP, 4.4A, 7A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 4.4A. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1110pF. C (out): 135pF. Dissipation de puissance maxi: 30W. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P9NK60ZFP. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 43 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 480 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

1.90€

Quantité en stock: 34

STP9NK90Z

Transistor canal N STP9NK90Z, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220, TO-220AB, 900V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 900V. C (in): 2115pF. C (out): 190pF. Dissipation de puissance maxi: 160W. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 32A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P9NK90Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 55 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 950 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

4.06€

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STQ1NK60ZR-AP

Transistor canal N STQ1NK60ZR-AP, 0.189A, 0.3A, 50uA, 13 Ohms, TO-92, TO-92Ammopak, 600V. Id (T=100°C): 0.189A. Id (T=25°C): 0.3A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 13 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92Ammopak. Tension Vds(max): 600V. C (in): 94pF. C (out): 17.6pF. Dissipation de puissance maxi: 3W. Fonction: protection Zener, capacité ESD améliorée. Id(imp): 1.2A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 1NK60ZR. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 13 ns. Td(on): 5.5 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 135 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V...

0.84€

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