Transistor canal N STP80NF10, TO-220AB, 100V

Transistor canal N STP80NF10, TO-220AB, 100V

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Transistor canal N STP80NF10, TO-220AB, 100V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 5500pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 80A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.012 Ohms @ 40A. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Délai de coupure tf[nsec.]: 116 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: P80NF10. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 26 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 23:16

Documentation technique (PDF)
STP80NF10
16 paramètres
Boîtier
TO-220AB
Tension drain-source Uds [V]
100V
Capacité de grille Ciss [pF]
5500pF
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de drain Id (A) @ 25°C
80A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.012 Ohms @ 40A
Dissipation maximale Ptot [W]
300W
Délai de coupure tf[nsec.]
116 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
P80NF10
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
26 ns
Température maxi
+175°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
4 v
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics