Transistor canal N STP7NK80ZFP, 800V, 1.5 Ohms, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, TO-220FP, TO-220FP, 800V

Transistor canal N STP7NK80ZFP, 800V, 1.5 Ohms, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, TO-220FP, TO-220FP, 800V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.05€
5-9
1.70€
10-24
1.43€
25+
1.29€
+22 pièces supplémentaires disponibles en stock distant (approvisionnement dans les 4h). Nous contacter pour tarif et disponibilité!
Produit obsolète, bientôt retiré du catalogue
En rupture de stock
Equivalence disponible

Transistor canal N STP7NK80ZFP, 800V, 1.5 Ohms, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Tension drain - source (Vds): 800V. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Id (T=100°C): 3.3A. Id (T=25°C): 5.2A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 50uA. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1138pF. C (out): 122pF. Courant de drain maxi: 5.2A. Dissipation de puissance maxi: 30W. Fonction: 'EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY'. Id(imp): 20.8A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P7NK80ZFP. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Td(off): 45 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Trr Diode (Min.): 530 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3.75V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:58

Documentation technique (PDF)
STP7NK80ZFP
33 paramètres
Tension drain - source (Vds)
800V
Résistance passante Rds On
1.5 Ohms
Id (T=100°C)
3.3A
Id (T=25°C)
5.2A
Idss
1uA
Idss (maxi)
50uA
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220FP
Tension Vds(max)
800V
C (in)
1138pF
C (out)
122pF
Courant de drain maxi
5.2A
Dissipation de puissance maxi
30W
Fonction
'EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY'
Id(imp)
20.8A
Idss (min)
1uA
Marquage sur le boîtier
P7NK80ZFP
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
oui
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET
Td(off)
45 ns
Td(on)
20 ns
Technologie
SuperMESH
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Trr Diode (Min.)
530 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
3.75V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics

Produits équivalents et/ou accessoires pour STP7NK80ZFP