Transistor canal N STQ1NK60ZR-AP, 0.189A, 0.3A, 50uA, 13 Ohms, TO-92, TO-92Ammopak, 600V. Id (T=100°C): 0.189A. Id (T=25°C): 0.3A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 13 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92Ammopak. Tension Vds(max): 600V. C (in): 94pF. C (out): 17.6pF. Dissipation de puissance maxi: 3W. Fonction: protection Zener, capacité ESD améliorée. Id(imp): 1.2A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 1NK60ZR. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 13 ns. Td(on): 5.5 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 135 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:58