Transistor canal N STP80NF12, 60A, 80A, 10uA, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 120V

Transistor canal N STP80NF12, 60A, 80A, 10uA, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 120V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.65€
5-24
2.36€
25-49
2.14€
50-99
1.97€
100+
1.67€
Quantité en stock: 2

Transistor canal N STP80NF12, 60A, 80A, 10uA, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. Id (T=100°C): 60A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.013 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 120V. C (in): 4300pF. C (out): 600pF. Dissipation de puissance maxi: 300W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 320A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P80NF12. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 134 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 155 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:58

Documentation technique (PDF)
STP80NF12
31 paramètres
Id (T=100°C)
60A
Id (T=25°C)
80A
Idss (maxi)
10uA
Résistance passante Rds On
0.013 Ohms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220
Tension Vds(max)
120V
C (in)
4300pF
C (out)
600pF
Dissipation de puissance maxi
300W
Fonction
commutation rapide
Id(imp)
320A
Idss (min)
1uA
Marquage sur le boîtier
P80NF12
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
134 ns
Td(on)
40 ns
Technologie
STripFET II POWER MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
155 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics