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STP3NK90ZFP

Transistor canal N STP3NK90ZFP, 1.89A, 3A, 50uA, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 900V. Id (T=100°C): 1.89A. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 3.6 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 900V. C (in): 590pF. C (out): 63pF. Dissipation de puissance maxi: 25W. Fonction: Zener-Protected. Id(imp): 12A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55°C à +150°C. Tension grille/source VGS (off) max.: 4.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 3V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 510 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

STP4NB80

Transistor canal N STP4NB80, 2A, 4A, 50uA, 3 Ohms, 800V. Id (T=100°C): 2A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Tension Vds(max): 800V. C (in): 700pF. C (out): 95pF. Dissipation de puissance maxi: 100W. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 16A. Idss (min): 1uA. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 12 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Trr Diode (Min.): 600 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

STP4NB80FP

Transistor canal N STP4NB80FP, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Id (T=100°C): 2.4A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. C (in): 700pF. C (out): 95pF. Dissipation de puissance maxi: 35W. Id(imp): 16A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 12 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 600 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

STP4NK50Z-ZENER

Transistor canal N STP4NK50Z-ZENER, TO-220AB, 500V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 310pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2.7 Ohms @ 1.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 45W. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: P4NK50Z. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V...

STP4NK60Z

Transistor canal N STP4NK60Z, 2.5A, 4A, 4A, 1.76 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 2.5A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 4A. Résistance passante Rds On: 1.76 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. Dissipation de puissance maxi: 70W. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Id(imp): 16A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: SuperMESH. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

STP4NK80ZFP

Transistor canal N STP4NK80ZFP, 1.89A, 3A, 3A, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Id (T=100°C): 1.89A. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 3A. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. Dissipation de puissance maxi: 25W. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: SuperMESH. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

STP55NE06

Transistor canal N STP55NE06, 39A, 55A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Id (T=100°C): 39A. Id (T=25°C): 55A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.019 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 3050pF. C (out): 380pF. Dissipation de puissance maxi: 130W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 220A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P55NE06. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(on): 30 ns. Technologie: transistor MOSFET de puissance. Température: +175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

STP55NF06

Transistor canal N STP55NF06, 60V, 35A, TO-220, 50A, 10uA, 0.015 Ohms, TO-220, 60V. Vdss (tension drain à source): 60V. Id (T=100°C): 35A. Boîtier: TO-220. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.015 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 1300pF. C (out): 300pF. Dissipation de puissance maxi: 110W. Fonction: commutation rapide. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 50A. Id(imp): 200A. Idss (min): 1uA. Information: -. MSL: -. Marquage sur le boîtier: P55NF06. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Série: -. Td(off): 36ns. Td(on): 20 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension d'entraînement: 10V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 75 ns. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

STP55NF06L

Transistor canal N STP55NF06L, 39A, 55A, 10uA, 0.016 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Id (T=100°C): 39A. Id (T=25°C): 55A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.016 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 1700pF. C (out): 300pF. Dissipation de puissance maxi: 95W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 220A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P55NF06L. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 40ms. Td(on): 20ms. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1.7V. Vgs(th) min.: 1V...

STP5NK100Z-ZENER

Transistor canal N STP5NK100Z-ZENER, TO-220AB, 1 kV. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 1 kV. Capacité de grille Ciss [pF]: 1154pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 52 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: P5NK100Z. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V...

STP5NK60ZFP

Transistor canal N STP5NK60ZFP, 3.6A, 5A, 50uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 3.6A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 690pF. C (out): 90pF. Dissipation de puissance maxi: 25W. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Id(imp): 20A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P5NK60ZFP. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: -55°C...+150°C. Td(off): 36ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+ °C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 485 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

STP5NK80Z

Transistor canal N STP5NK80Z, 800V, 2.7A, 4.3A, 50uA, 1.9 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Tension drain - source (Vds): 800V. Id (T=100°C): 2.7A. Id (T=25°C): 4.3A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.9 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. C (in): 910pF. C (out): 98pF. Courant de drain maxi: 4.3A. Dissipation de puissance maxi: 110W. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Id(imp): 17.2A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P5NK80Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Puissance: 110W. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

STP5NK80ZFP

Transistor canal N STP5NK80ZFP, 800V, 1.9 Ohms, TO-220FP, 2.7A, 4.3A, 50uA, TO-220FP, 800V. Tension drain - source (Vds): 800V. Résistance passante Rds On: 1.9 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Id (T=100°C): 2.7A. Id (T=25°C): 4.3A. Idss (maxi): 50uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. C (in): 910pF. C (out): 98pF. Courant de drain maxi: 4.3A. Dissipation de puissance maxi: 30W. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Id(imp): 17.2A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P5NK80ZFP. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Puissance: 110W. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

STP60NF06

Transistor canal N STP60NF06, 42A, 60A, 10uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Id (T=100°C): 42A. Id (T=25°C): 60A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. C (in): 1810pF. C (out): 360pF. Dissipation de puissance maxi: 110W. Id(imp): 240A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Capacité dv/dt exceptionnelle. Td(off): 43 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET, Ultra Low ON-Resistance. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Température: +175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 73ms. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

STP60NF06L

Transistor canal N STP60NF06L, TO-220, 60V, 42A, 60A, 10uA, 0.014 Ohms, TO-220, 60V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Id (T=100°C): 42A. Id (T=25°C): 60A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 2000pF. C (out): 360pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 2000pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 60A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 60A. Dissipation de puissance maxi: 110W. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Délai de coupure tf[nsec.]: 55 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: faible charge de porte, VGS(th) 1...2.5V. Id(imp): 240A. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: P60NF06L. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: faible charge de porte, VGS(th) 1...2.5V. Td(off): 55 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 35 ns. Température maxi: +175°C.. Température: +240°C. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Tension grille/source Vgs: 15V. Trr Diode (Min.): 110us. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V...

STP62NS04Z

Transistor canal N STP62NS04Z, 37.5A, 62A, 0.01mA, 62A, 12.5m Ohms, TO-220, TO-220, 33V. Id (T=100°C): 37.5A. Id (T=25°C): 62A. Idss: 0.01mA. Idss (maxi): 62A. Résistance passante Rds On: 12.5m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 33V. C (in): 1330pF. C (out): 420pF. Dissipation de puissance maxi: 110W. Fonction: entièrement protégé. Id(imp): 248A. Marquage sur le boîtier: P62NS04Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 41 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: MESH OVERLAY™ Power MOSFET. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Tension grille/source Vgs: 10V. Trr Diode (Min.): 45 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v...

STP65NF06

Transistor canal N STP65NF06, 42A, 60A, 10uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Id (T=100°C): 42A. Id (T=25°C): 60A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.0115 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 1700pF. C (out): 400pF. Dissipation de puissance maxi: 110W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 240A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P65NF06. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 40 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 70us. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

STP6NK60Z

Transistor canal N STP6NK60Z, 600V, 3.8A, 6A, TO-220, 50uA, 1 Ohm, TO-220, 600V. Vdss (tension drain à source): 600V. Id (T=100°C): 3.8A. Id (T=25°C): 6A. Boîtier: TO-220. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 905pF. C (out): 115pF. Dissipation de puissance maxi: 104W. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 4A. Idss (min): 1uA. Information: -. MSL: -. Marquage sur le boîtier: P6NK60Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohms / 2.8A / 10V. Série: SuperMESH. Td(off): 47 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension d'entraînement: 10V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 445 ns. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

STP6NK60ZFP

Transistor canal N STP6NK60ZFP, 3.8A, 6A, 50uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 3.8A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 905pF. C (out): 115pF. Dissipation de puissance maxi: 32W. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Id(imp): 24A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P6NK60ZFP. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 47 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 445 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V...

STP6NK90Z

Transistor canal N STP6NK90Z, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220, TO-220, 900V. Id (T=100°C): 3.65A. Id (T=25°C): 5.8A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.56 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1350pF. C (out): 130pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 140W. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Id(imp): 23.2A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P6NK90Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 45 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 840 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

STP6NK90ZFP

Transistor canal N STP6NK90ZFP, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 900V. Id (T=100°C): 3.65A. Id (T=25°C): 5.8A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.56 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1350pF. C (out): 130pF. Dissipation de puissance maxi: 30W. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Id(imp): 23.2A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P6NK90ZFP. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 45 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 840 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

STP75NF75

STP7NC80ZFP

Transistor canal N STP7NC80ZFP, 4A, 6.5A, 6.5A, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Id (T=100°C): 4A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 6.5A. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: Zener-Protected. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: PowerMesh. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

STP7NK80Z

Transistor canal N STP7NK80Z, 3.3A, 5.2A, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 3.3A. Id (T=25°C): 5.2A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1138pF. C (out): 122pF. Dissipation de puissance maxi: 125W. Id(imp): 20.8A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P7NK80Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Zener-Protected. Td(off): 45 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 530 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...