Transistor canal N STP6NK60Z, 600V, 3.8A, 6A, TO-220, 50uA, 1 Ohm, TO-220, 600V. Vdss (tension drain à source): 600V. Id (T=100°C): 3.8A. Id (T=25°C): 6A. Boîtier: TO-220. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 905pF. C (out): 115pF. Dissipation de puissance maxi: 104W. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 4A. Idss (min): 1uA. Information: -. MSL: -. Marquage sur le boîtier: P6NK60Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohms / 2.8A / 10V. Série: SuperMESH. Td(off): 47 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension d'entraînement: 10V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 445 ns. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:58