Transistor canal N STP7NK80Z, 3.3A, 5.2A, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220, 800V

Transistor canal N STP7NK80Z, 3.3A, 5.2A, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220, 800V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.16€
5-24
1.84€
25-49
1.62€
50-99
1.46€
100+
1.24€
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Transistor canal N STP7NK80Z, 3.3A, 5.2A, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 3.3A. Id (T=25°C): 5.2A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1138pF. C (out): 122pF. Dissipation de puissance maxi: 125W. Id(imp): 20.8A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P7NK80Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Zener-Protected. Td(off): 45 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 530 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:58

Documentation technique (PDF)
STP7NK80Z
28 paramètres
Id (T=100°C)
3.3A
Id (T=25°C)
5.2A
Idss (maxi)
50uA
Résistance passante Rds On
1.5 Ohms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220
Tension Vds(max)
800V
C (in)
1138pF
C (out)
122pF
Dissipation de puissance maxi
125W
Id(imp)
20.8A
Idss (min)
1uA
Marquage sur le boîtier
P7NK80Z
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Protection G-S
oui
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
Spec info
Zener-Protected
Td(off)
45 ns
Td(on)
20 ns
Technologie
SuperMESH™ Power MOSFET
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
530 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics