Transistor canal N STP4NB80FP, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V

Transistor canal N STP4NB80FP, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.85€
5-49
1.53€
50-99
1.36€
100+
1.20€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 77

Transistor canal N STP4NB80FP, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Id (T=100°C): 2.4A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. C (in): 700pF. C (out): 95pF. Dissipation de puissance maxi: 35W. Id(imp): 16A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 12 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 600 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:29

Documentation technique (PDF)
STP4NB80FP
28 paramètres
Id (T=100°C)
2.4A
Id (T=25°C)
4A
Idss (maxi)
50uA
Résistance passante Rds On
3 Ohms
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220FP
Tension Vds(max)
800V
C (in)
700pF
C (out)
95pF
Dissipation de puissance maxi
35W
Id(imp)
16A
Idss (min)
1uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
Td(off)
12 ns
Td(on)
14 ns
Technologie
PowerMESH MOSFET
Température
+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
600 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics

Produits équivalents et/ou accessoires pour STP4NB80FP