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IXTP6N100D2

Transistor canal N IXTP6N100D2, TO220-3. Boîtier: TO220-3. : -. Courant de drain: 6A. Montage/installation: THT. Polarité: unipolaire. Puissance: 300W. Résistance dans l'état passant: 2.2 Ohms. Temps de réaction: 41ns. Tension drain - source: 1kV. Type de conditionnement: tubus. Type de transistor: N-MOSFET...

20.72€

Quantité en stock: 2

IXTP90N055T

Transistor canal N IXTP90N055T, 75A, 90A, 250uA, 0.066 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 90A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.066 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 55V. C (in): 2500pF. C (out): 440pF. Dissipation de puissance maxi: 176W. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 240A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 40 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: TrenchMVTM Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.06€

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IXTP90N055T2

Transistor canal N IXTP90N055T2, 75A, 90A, 200uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 90A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 0.07 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 55V. C (in): 2770pF. C (out): 420pF. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 240A. Idss (min): 2uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 39 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: TrenchT2TM Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 37 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.94€

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Quantité en stock: 40

IXTQ36N30P

Transistor canal N IXTQ36N30P, 36A, 36A, 200uA, 92m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. Id (T=100°C): 36A. Id (T=25°C): 36A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 92m Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 300V. C (in): 2250pF. C (out): 370pF. Dissipation de puissance maxi: 300W. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 97 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V...

8.93€

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Quantité en stock: 6

IXTQ460P2

Transistor canal N IXTQ460P2, 12A, 24A, 200uA, 270 milliOhms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 24A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 270 milliOhms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2890pF. C (out): 280pF. Dissipation de puissance maxi: 480W. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 50A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 30 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: PolarP2TM Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2.5V...

8.91€

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IXTQ88N30P

Transistor canal N IXTQ88N30P, 75A, 88A, 1mA, 40m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. Id (T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 88A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 40m Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 300V. C (in): 6300pF. C (out): 950pF. Dissipation de puissance maxi: 600W. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 220A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 96 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V...

14.09€

Quantité en stock: 36

J111

Transistor canal N J111, 30 Ohms, 35V. Résistance passante Rds On: 30 Ohms. Tension Vds(max): 35V. Dissipation de puissance maxi: 0.35W. Fonction: Up 10V. IGF: 50mA. Idss (min): 20mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Tension grille/source VGS (off) max.: 10V. Tension grille/source VGS (off) min.: 3V. Type de canal: N. Type de transistor: FET...

0.24€

Quantité en stock: 82

J112

Transistor canal N J112, TO-92, 5mA, TO-92 Ammo-Pak, 35V. Boîtier: TO-92. Idss (maxi): 5mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 Ammo-Pak. Tension Vds(max): 35V. C (in): 28pF. C (out): 5pF. Courant de drain: 5mA. Courant de déclenchement: 50mA. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Fonction: Up 4.5V. IGF: 50mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Polarité: unipolaire. Puissance: 350mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 50 Ohms. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille-source: -35V. Tension grille/source VGS (off) max.: 5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 1V. Type de canal: N. Type de conditionnement: -. Type de transistor: N-JFET...

0.45€

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J113

Transistor canal N J113, 100 Ohms, TO-92, TO-92, 35V. Résistance passante Rds On: 100 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 35V. C (in): 28pF. C (out): 5pF. Dissipation de puissance maxi: 350mW. IGF: 50mA. Idss (min): 0.2mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: VGS(off) min 0.5V, max 3V. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source VGS (off) max.: 3V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.5V. Tension grille/source Vgs: 35V. Type de canal: N. Type de transistor: FET...

0.52€

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MBQ60T65PES

Transistor canal N MBQ60T65PES, 60A, TO-247, TO-247, 650V. Ic(T=100°C): 60A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 650V. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 100A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 535W. Ic(puls): 180A. Marquage sur le boîtier: 60T65PES. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 142ns. Td(on): 45 ns. Technologie: High Speed Fieldstop Trench IGBT, Second Generation. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.85V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.4V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 30...

8.20€

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MCH5803

Transistor canal N MCH5803, 1.4A, 1.4A, 30 v. Id (T=25°C): 1.4A. Idss (maxi): 1.4A. Tension Vds(max): 30 v. Fonction: 0505-111646. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS QU. Technologie: SMD 5p.. Type de canal: N. Type de transistor: FET...

2.18€

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MDF11N60TH

Transistor canal N MDF11N60TH, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. Id (T=100°C): 6.9A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.45 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1700pF. C (out): 184pF. Dissipation de puissance maxi: 49W. Fonction: SMPS, commutation à grande vitesse. Id(imp): 44A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. RoHS: oui. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Td(off): 76 ns. Td(on): 38 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 430 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

3.80€

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MDF11N65B

Transistor canal N MDF11N65B, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 650V. Id (T=100°C): 6.9A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.45 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO220F. Tension Vds(max): 650V. C (in): 1650pF. C (out): 180pF. Dissipation de puissance maxi: 49.6W. Fonction: SMPS, commutation à grande vitesse. Id(imp): 48A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. RoHS: oui. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Td(off): 132 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 355 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.08€

Quantité en stock: 12

MDF9N50TH

Transistor canal N MDF9N50TH, 5.5A, 9A, 9A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=100°C): 5.5A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 9A. Résistance passante Rds On: 0.72 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 780pF. C (out): 100pF. Dissipation de puissance maxi: 38W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 28nC, faible Crss 24pF. Id(imp): 36A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 38 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: +55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 272 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

2.09€

Quantité en stock: 47

MDF9N60TH

Transistor canal N MDF9N60TH, 5.7A, 9A, 1uA, 0.65 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.65 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1160pF. C (out): 134pF. Dissipation de puissance maxi: 48W. Fonction: SMPS, commutation à grande vitesse. Id(imp): 32A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: MDF9N60. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. RoHS: oui. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Td(off): 48 ns. Td(on): 31 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 360ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

3.39€

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MLP2N06CL

Transistor canal N MLP2N06CL, 2A, 6uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 62V. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 6uA. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 62V. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: Electronique automobile. Idss (min): 0.6uA. Marquage sur le boîtier: L2N06CL. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: MOSFET HYBRID. Td(off): 5us. Td(on): 1us. Technologie: SMARTDISCRETES MOSFET Logic Level. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension grille/source Vgs: 10V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

2.09€

Quantité en stock: 41

MMBF170

Transistor canal N MMBF170, SOT-23, 60V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 40pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 0.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 10 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: MMBF170. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

0.38€

Quantité en stock: 6851

MMBF170LT1G

Transistor canal N MMBF170LT1G, SOT-23, TO-236AB, 60V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 60pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Délai de coupure tf[nsec.]: 10 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 6Z. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

0.27€

Quantité en stock: 8074

MMBF4392LT1G

Transistor canal N MMBF4392LT1G, SOT-23, 30 v, 25mA. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Courant de drain Idss [A] @ Ug=0V: 25mA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: Transistor JFET à canal N. Marquage du fabricant: 6K. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de point d'arrêt grille-source Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +15V...

0.53€

Quantité en stock: 2410

MMBF5458

Transistor canal N MMBF5458, 9mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (maxi): 9mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 25V. C (in): 4.5pF. Dissipation de puissance maxi: 2mA. Fonction: Uni sym. IGF: 10mA. Idss (min): 2mA. Marquage sur le boîtier: 61 S. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 61S. RoHS: oui. Technologie: transistor JFET pour usage général. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source VGS (off) max.: 7V. Tension grille/source VGS (off) min.: 1V. Tension grille/source Vgs: 3.5V. Type de canal: N. Type de transistor: JFET...

0.18€

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Quantité en stock: 2719

MMBFJ201

Transistor canal N MMBFJ201, 1mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Idss (maxi): 1mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 40V. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 0.2mA. IGF: 50mA. Idss (min): 0.2mA. Marquage sur le boîtier: 62 P. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 62P. RoHS: oui. Spec info: VGS(off) 0.3V...1.5V. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 40V. Type de canal: N. Type de transistor: JFET. Unité de conditionnement: 3000...

0.30€

Quantité en stock: 1430

MMBFJ309

Transistor canal N MMBFJ309, 30mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (maxi): 30mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 25V. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 12mA. Fonction: VHF/UHF amplifier, oscillator and mixer. IGF: 10mA. Idss (min): 12mA. Marquage sur le boîtier: 6U. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 6U. RoHS: oui. Spec info: Gate amplifier, 16dB at 100MHz and 12dB at 450MHz. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Type de canal: N. Type de transistor: FET. Unité de conditionnement: 3000...

0.31€

Quantité en stock: 2640

MMBFJ310

Transistor canal N MMBFJ310, 60mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (maxi): 60mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 25V. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 350mW. Fonction: VHF/UHF amplifier, oscillator and mixer. IGF: 10mA. Idss (min): 24mA. Marquage sur le boîtier: 6T. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 6T. RoHS: oui. Spec info: Gate amplifier, 16dB at 100MHz and 12dB at 450MHz. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Type de canal: N. Type de transistor: FET. Unité de conditionnement: 3000...