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STW12NK80Z

Transistor canal N STW12NK80Z, 6.6A, 10.5A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. Id (T=100°C): 6.6A. Id (T=25°C): 10.5A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.65 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 800V. C (in): 2620pF. C (out): 250pF. Dissipation de puissance maxi: 190W. Fonction: Capacité ESD améliorée. Id(imp): 42A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W12NK80Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 'EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY'. Td(off): 70 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: transistor MOSFET de puissance SuperMESH™ protégé par diode zéner. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 635 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

4.81€

Quantité en stock: 29

STW12NK90Z

Transistor canal N STW12NK90Z, 7A, 11A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.72 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 900V. C (in): 3500pF. C (out): 280pF. Dissipation de puissance maxi: 230W. Fonction: Capacité ESD améliorée. Id(imp): 44A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W12NK90Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 'EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY'. Td(off): 88 ns. Td(on): 31 ns. Technologie: transistor MOSFET de puissance SuperMESH™ protégé par diode zéner. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 964ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

5.24€

Quantité en stock: 19

STW13NK60Z

Transistor canal N STW13NK60Z, 600V, 0.48 Ohms, 8A, 13A, 50mA, TO-247, TO-247, 600V. Tension drain - source (Vds): 600V. Résistance passante Rds On: 0.48 Ohms. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 50mA. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 600V. C (in): 2030pF. C (out): 210pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de drain maxi: 13A. Dissipation de puissance maxi: 160W. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 40A. Idss (min): 1mA. Marquage sur le boîtier: W13NK60Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode zéner. Puissance: 150W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 'EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY'. Td(off): 61 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 30. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

4.43€

+23 rapidement
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Quantité en stock: 10

STW18NM80

Transistor canal N STW18NM80, 10.71A, 17A, 100nA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. Id (T=100°C): 10.71A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 100nA. Résistance passante Rds On: 0.25 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1630pF. C (out): 750pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 190W. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 68A. Idss (min): 10nA. Marquage sur le boîtier: 18NM80. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 30. Vgs(th) min.: 3V...

6.88€

Produit obsolète
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STW20NM60

Transistor canal N STW20NM60, 12.6A, 20A, 100uA, 0.26 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. Id (T=100°C): 12.6A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.26 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1450pF. C (out): 350pF. Dissipation de puissance maxi: 214W. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W20NM60. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 6 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 510 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

5.96€

Quantité en stock: 30

STW26NM60N

Transistor canal N STW26NM60N, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. Id (T=100°C): 12.6A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.135 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1800pF. C (out): 115pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 140W. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 26NM60N. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Poids: 4.51g. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Faible capacité d'entrée et charge de grille. Td(off): 13 ns. Td(on): 85 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 450 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 30. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

5.22€

Quantité en stock: 82

STW28N65M2

Transistor canal N STW28N65M2, 13A, 20A, 100uA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 650V. C (in): 1440pF. C (out): 60pF. Dissipation de puissance maxi: 170W. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 28N65M2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 59 ns. Td(on): 13.4 ns. Technologie: MDmesh™ M2 Power MOSFETs. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 384 ns. Type de canal: N. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

5.45€

Quantité en stock: 51

STW34NB20

Transistor canal N STW34NB20, 21A, 34A, 10uA, 0.62 Ohms, TO-247, TO-247, 200V. Id (T=100°C): 21A. Id (T=25°C): 34A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.62 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 200V. C (in): 2400pF. C (out): 650pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 180W. Fonction: PowerMESH™ MOSFET. Id(imp): 136A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W34NB20. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Alimentations à découpage SMPS, convertisseurs DC-AC. Td(off): 17 ns. Td(on): 30 ns. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 290 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 30. Vgs(th) min.: 4 v...

10.25€

Quantité en stock: 10

STW45NM60

Transistor canal N STW45NM60, 28A, 45A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. Id (T=100°C): 28A. Id (T=25°C): 45A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.09 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 650V. C (in): 3800pF. C (out): 1250pF. Dissipation de puissance maxi: 417W. Id(imp): 180A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: W45NM60. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Idm--180Ap (pulsed). Td(off): 16 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 508 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

18.90€

Quantité en stock: 31

STW5NB90

Transistor canal N STW5NB90, 3.3A, 5.6A, 50uA, 2.3 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. Id (T=100°C): 3.3A. Id (T=25°C): 5.6A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 2.3 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1250pF. C (out): 128pF. Dissipation de puissance maxi: 160W. Fonction: Alimentations à découpage (SMPS). Id(imp): 22.4A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 13 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 700 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

4.43€

Quantité en stock: 34

STW5NK100Z

Transistor canal N STW5NK100Z, 2.2A, 3.5A, 50uA, 2.7 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. Id (T=100°C): 2.2A. Id (T=25°C): 3.5A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 2.7 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 1000V. C (in): 1154pF. C (out): 106pF. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: protégé avec diode zéner. Id(imp): 14A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W5NK100Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 51.5 ns. Td(on): 22.5 ns. Technologie: SuperMESH3™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 605 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

3.95€

Quantité en stock: 14

STW7NK90Z

Transistor canal N STW7NK90Z, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. Id (T=100°C): 3.65A. Id (T=25°C): 5.8A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.56 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1350pF. C (out): 130pF. Dissipation de puissance maxi: 140W. Fonction: protégé avec diode zéner. Id(imp): 23.2A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W7NK90Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 20 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 840 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

2.69€

Quantité en stock: 77

STW9NK90Z

Transistor canal N STW9NK90Z, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 900V. C (in): 2115pF. C (out): 190pF. Dissipation de puissance maxi: 160W. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 32A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W9NK90Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 55 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 950 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

3.70€

Quantité en stock: 20

TK20J50D

Transistor canal N TK20J50D, 20A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.22 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2600pF. C (out): 280pF. Dissipation de puissance maxi: 280W. Fonction: Applications de régulateur à découpage. Id(imp): 80A. Marquage sur le boîtier: K20J50D. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 150 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: Type POWER MOS à effet de champ (MOSVII). Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1700 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

9.66€

Quantité en stock: 18

TK6A60D

Transistor canal N TK6A60D, 6A, 10uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 800pF. C (out): 100pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 24A. Marquage sur le boîtier: K6A60D. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 60 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Température de fonctionnement: -...+150°C. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1200 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.60€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 4

TK6A65D

Transistor canal N TK6A65D, 6A, 10uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 650V. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.95 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 650V. C (in): 1050pF. C (out): 100pF. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: Régulateur à découpage. Id(imp): 24A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 75 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.99€

Quantité en stock: 45

TK7P60W

Transistor canal N TK7P60W, 7A, 10uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.50 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 600V. C (in): 470pF. C (out): 13pF. Dissipation de puissance maxi: 70W. Fonction: pour régulateurs à découpage. Id(imp): 28A. Marquage sur le boîtier: TK7P60W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 55 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: MOSFET (DTMOSIV). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 230 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.7V. Vgs(th) min.: 2.7V...

3.17€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 1878

TK8A65D-STA4-Q-M

Transistor canal N TK8A65D-STA4-Q-M, 10uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, 2-10U1B, 650V. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.7 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): 2-10U1B. Tension Vds(max): 650V. C (in): 1350pF. C (out): 135pF. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 30Ap. Idss (min): -. Marquage sur le boîtier: K8A65D. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 75 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVII). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...