Transistor canal N STW12NK90Z, 7A, 11A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-247, TO-247, 900V

Transistor canal N STW12NK90Z, 7A, 11A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-247, TO-247, 900V

Quantité
Prix unitaire
1-4
5.18€
5-14
4.54€
15-29
4.02€
30-59
3.72€
60+
3.31€
Quantité en stock: 19

Transistor canal N STW12NK90Z, 7A, 11A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.72 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 900V. C (in): 3500pF. C (out): 280pF. Dissipation de puissance maxi: 230W. Fonction: Capacité ESD améliorée. Id(imp): 44A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W12NK90Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 'EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY'. Td(off): 88 ns. Td(on): 31 ns. Technologie: transistor MOSFET de puissance SuperMESH™ protégé par diode zéner. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 964ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:58

Documentation technique (PDF)
STW12NK90Z
32 paramètres
Id (T=100°C)
7A
Id (T=25°C)
11A
Idss (maxi)
50uA
Résistance passante Rds On
0.72 Ohms
Boîtier
TO-247
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247
Tension Vds(max)
900V
C (in)
3500pF
C (out)
280pF
Dissipation de puissance maxi
230W
Fonction
Capacité ESD améliorée
Id(imp)
44A
Idss (min)
1uA
Marquage sur le boîtier
W12NK90Z
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
oui
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
'EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY'
Td(off)
88 ns
Td(on)
31 ns
Technologie
transistor MOSFET de puissance SuperMESH™ protégé par diode zéner
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
964ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics