Transistor canal N TK6A65D, 6A, 10uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 650V

Transistor canal N TK6A65D, 6A, 10uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 650V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.96€
5-24
1.67€
25-49
1.46€
50-99
1.33€
100+
1.14€
Quantité en stock: 61

Transistor canal N TK6A65D, 6A, 10uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 650V. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.95 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 650V. C (in): 1050pF. C (out): 100pF. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: Régulateur à découpage. Id(imp): 24A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 75 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:51

Documentation technique (PDF)
TK6A65D
29 paramètres
Id (T=25°C)
6A
Idss (maxi)
10uA
Résistance passante Rds On
0.95 Ohms
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220F
Tension Vds(max)
650V
C (in)
1050pF
C (out)
100pF
Dissipation de puissance maxi
45W
Fonction
Régulateur à découpage
Id(imp)
24A
Idss (min)
10uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
75 ns
Td(on)
60 ns
Technologie
Transistor à effet de champ
Température
+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
1300 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Toshiba