Transistor canal N STW45NM60, 28A, 45A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-247, TO-247, 650V

Transistor canal N STW45NM60, 28A, 45A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-247, TO-247, 650V

Quantité
Prix unitaire
1-4
18.66€
5-9
17.90€
10-19
17.17€
20+
16.44€
Quantité en stock: 35

Transistor canal N STW45NM60, 28A, 45A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. Id (T=100°C): 28A. Id (T=25°C): 45A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.09 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 650V. C (in): 3800pF. C (out): 1250pF. Dissipation de puissance maxi: 417W. Id(imp): 180A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: W45NM60. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Idm--180Ap (pulsed). Td(off): 16 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 508 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:51

Documentation technique (PDF)
STW45NM60
31 paramètres
Id (T=100°C)
28A
Id (T=25°C)
45A
Idss (maxi)
100uA
Résistance passante Rds On
0.09 Ohms
Boîtier
TO-247
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247
Tension Vds(max)
650V
C (in)
3800pF
C (out)
1250pF
Dissipation de puissance maxi
417W
Id(imp)
180A
Idss (min)
10uA
Marquage sur le boîtier
W45NM60
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
Idm--180Ap (pulsed)
Td(off)
16 ns
Td(on)
30 ns
Technologie
MDmesh PpwerMOSFET
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
508 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics