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IRFU024NPBF

Transistor canal N IRFU024NPBF, I-PAK, 60V. Boîtier: I-PAK. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 370pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 14A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 8.4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFU024NPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4.9 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.18€

Quantité en stock: 2297

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IRFU110

Transistor canal N IRFU110, 2.7A, 4.3A, 4.3A, 0.54 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 100V. Id (T=100°C): 2.7A. Id (T=25°C): 4.3A. Idss (maxi): 4.3A. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 100V. Dissipation de puissance maxi: 25W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 17A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

0.97€

Quantité en stock: 112

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IRFU120N

Transistor canal N IRFU120N, TO251AA, IPAK. Boîtier: TO251AA, IPAK. Charge: 16.7nC. Courant de drain: 9.1A. Montage/installation: THT. Polarité: unipolaire. Puissance: 39W. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 3.2K/W. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: 100V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET...

2.62€

Quantité en stock: 10

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IRFU210

Transistor canal N IRFU210, 1.7A, 2.6A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V. Id (T=100°C): 1.7A. Id (T=25°C): 2.6A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 200V. C (in): 140pF. C (out): 53pF. Dissipation de puissance maxi: 25W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 10A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 14 ns. Td(on): 8.2 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

1.32€

Quantité en stock: 76

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IRFU420

Transistor canal N IRFU420, 1.4A, 2.4A, 250uA, 3 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 500V. Id (T=100°C): 1.4A. Id (T=25°C): 2.4A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 500V. C (in): 360pF. C (out): 92pF. Dissipation de puissance maxi: 42W. Fonction: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 8A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 8 ns. Td(on): 33 ns. Technologie: transistor MOSFET de puissance de troisième génération. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

0.89€

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IRFU420PBF

Transistor canal N IRFU420PBF, TO-251AA, 500V. Boîtier: TO-251AA. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 360pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 2.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 1.4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 42W. Délai de coupure tf[nsec.]: 33 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFU420PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.07€

Quantité en stock: 49

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IRFU4620PBF

Transistor canal N IRFU4620PBF, TO-251AA, 200V. Boîtier: TO-251AA. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1710pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 24A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.78 Ohms @ 15A. Dissipation maximale Ptot [W]: 144W. Délai de coupure tf[nsec.]: 25.4 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFU4620PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13.4 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V...

4.73€

Quantité en stock: 417

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IRFUC20

Transistor canal N IRFUC20, 1.2A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 600V. Id (T=100°C): 1.2A. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 4.4 Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 600V. C (in): 350pF. C (out): 48pF. Dissipation de puissance maxi: 42W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 8A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 30 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: V-MOS. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.14€

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IRFZ24N

Transistor canal N IRFZ24N, TO-220, 10A, 17A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220AB, 55V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.07 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 370pF. C (out): 140pF. Charge: 13.3nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 17A. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 68A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Puissance: 45W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 3.3K/W. Td(off): 19 ns. Td(on): 4.9 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 56 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

0.93€

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IRFZ24NPBF

Transistor canal N IRFZ24NPBF, TO220AB, 55V, 60V. Boîtier: TO220AB. Vdss (tension drain à source): 55V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 640pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 10A. Dissipation de puissance maxi: 45W. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 17A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRFZ24NPBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. RoHS: oui. Série: HEXFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Température maxi: +175°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de montage: THT...

2.07€

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IRFZ24NSPBF

Transistor canal N IRFZ24NSPBF, D²-PAK, TO-263, 55V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 370pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.07 Ohms @ 10A. Dissipation maximale Ptot [W]: 45W. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FZ24NS. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4.9 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.77€

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IRFZ34N

Transistor canal N IRFZ34N, TO-220, 20A, 29A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220AB, 55V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 20A. Id (T=25°C): 29A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.04 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 700pF. C (out): 240pF. Charge: 22.7nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 26A. Dissipation de puissance maxi: 68W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 100A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Puissance: 56W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 2.7K/W. Td(off): 31 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 57 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.18€

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IRFZ34NPBF

Transistor canal N IRFZ34NPBF, TO-220AB, 60V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 700pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 30A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 16A. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Délai de coupure tf[nsec.]: 31 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFZ34NPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.77€

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IRFZ44N

Transistor canal N IRFZ44N, 35A, 49A, 250uA, 0.0175 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 35A. Id (T=25°C): 49A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0175 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 1470pF. C (out): 360pF. Dissipation de puissance maxi: 94W. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 160A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 44 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 63us. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

1.14€

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IRFZ44NPBF

Transistor canal N IRFZ44NPBF, TO-220AB, 55V, 60V. Boîtier: TO-220AB. Vdss (tension drain à source): 55V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1470pF. Charge: 63nC. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 50A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 31A. Courant de drain: 49A. Dissipation de puissance maxi: 94W. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Délai de coupure tf[nsec.]: 44 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 49A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRFZ44NPBF. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: unipolaire. Puissance: 94W. RoHS: oui. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5m Ohms / 25A / 10V. Série: HEXFET. Technologie: HEXFET®. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +175°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de montage: THT. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET...

1.95€

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IRFZ44NS

Transistor canal N IRFZ44NS, 35A, 49A, 250uA, 17.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. Id (T=100°C): 35A. Id (T=25°C): 49A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 17.5m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 1470pF. C (out): 360pF. Dissipation de puissance maxi: 94W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 160A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Td(off): 44 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 63 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.71€

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IRFZ44NSPBF

Transistor canal N IRFZ44NSPBF, D²-PAK, TO-263, 55V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1470pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 49A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0175 Ohms @ 25A. Dissipation maximale Ptot [W]: 94W. Délai de coupure tf[nsec.]: 44 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FZ44NS. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

2.95€

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IRFZ44V

Transistor canal N IRFZ44V, 39A, 55A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Id (T=100°C): 39A. Id (T=25°C): 55A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 16.5m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. C (in): 1812pF. C (out): 393pF. Dissipation de puissance maxi: 115W. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 220A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 40 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.47€

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IRFZ44VPBF

Transistor canal N IRFZ44VPBF, 60V, 0.016 Ohms, TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 60V. Résistance passante Rds On: 0.016 Ohms. Boîtier: TO-220AB. Courant de drain maxi: 55A. Puissance: 115W. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

2.02€

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IRFZ46N

Transistor canal N IRFZ46N, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 37A. Id (T=25°C): 53A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 16.5m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 1696pF. C (out): 407pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 107W. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 180A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 52 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 67 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 2V...

1.20€

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IRFZ46NL

Transistor canal N IRFZ46NL, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 55V. Id (T=100°C): 37A. Id (T=25°C): 53A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 16.5m Ohms. Boîtier: TO-262 ( I2-PAK ). Boîtier (selon fiche technique): TO-262. Tension Vds(max): 55V. C (in): 1696pF. C (out): 407pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 120W. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 180A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 52 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 67 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 2V...

1.27€

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IRFZ46NPBF

Transistor canal N IRFZ46NPBF, TO220AB, 55V, 50V. Boîtier: TO220AB. Vdss (tension drain à source): 55V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1696pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 50A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0165 Ohms @ 28A. Dissipation de puissance maxi: 107W. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Délai de coupure tf[nsec.]: 52 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 53A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRFZ46NPBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. RoHS: oui. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5m Ohms / 28A / 10V. Série: IRFZ. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +175°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de montage: THT...

2.36€

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IRFZ48N

Transistor canal N IRFZ48N, TO-220, 32A, 64A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-220AB, 55V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 32A. Id (T=25°C): 64A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 1970pF. C (out): 470pF. Charge: 54nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 64A. Dissipation de puissance maxi: 140W. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 210A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Puissance: 94W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 1.6K/W. Td(off): 34 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 68 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

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IRFZ48NPBF

Transistor canal N IRFZ48NPBF, TO220AB, 55V, 55V, 0.014 Ohms, 55V. Boîtier: TO220AB. Vdss (tension drain à source): 55V. Tension drain - source (Vds): 55V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1970pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 64A. Courant de drain maxi: 64A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 32A. Dissipation de puissance maxi: 130W. Dissipation maximale Ptot [W]: 130W. Délai de coupure tf[nsec.]: 34 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 64A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRFZ48NPBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Puissance: 130W. RoHS: oui. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +175°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

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