Transistor canal N IRFU120N, TO251AA, IPAK

Quantité

Prix unitaire

1-4

2.59€

5-9

1.61€

10-19

1.47€

20-49

1.39€

50+

1.32€

Quantité en stock: 10

Transistor canal N IRFU120N, TO251AA, IPAK. Boîtier: TO251AA, IPAK. Charge: 16.7nC. Courant de drain: 9.1A. Montage/installation: THT. Polarité: unipolaire. Puissance: 39W. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 3.2K/W. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: 100V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET. Produit d'origine constructeur: Infineon (irf). Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

IRFU120N

13 paramètres

Boîtier

TO251AA, IPAK

Charge

16.7nC

Courant de drain

9.1A

Montage/installation

THT

Polarité

unipolaire

Puissance

39W

RoHS

oui

Résistance thermique du boîtier

3.2K/W

Technologie

HEXFET®

Tension drain - source

100V

Tension grille-source

20V, ±20V

Type de transistor

N-MOSFET, HEXFET

Produit d'origine constructeur

Infineon (irf)