Transistor canal N IRFU420PBF, TO-251AA, 500V

Transistor canal N IRFU420PBF, TO-251AA, 500V

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25+
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Quantité en stock: 49

Transistor canal N IRFU420PBF, TO-251AA, 500V. Boîtier: TO-251AA. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 360pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 2.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 1.4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 42W. Délai de coupure tf[nsec.]: 33 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFU420PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Produit d'origine constructeur: Vishay (siliconix). Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

Documentation technique (PDF)
IRFU420PBF
16 paramètres
Boîtier
TO-251AA
Tension drain-source Uds [V]
500V
Capacité de grille Ciss [pF]
360pF
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de drain Id (A) @ 25°C
2.4A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
3 Ohms @ 1.4A
Dissipation maximale Ptot [W]
42W
Délai de coupure tf[nsec.]
33 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
IRFU420PBF
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
8 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
4 v
Produit d'origine constructeur
Vishay (siliconix)