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RJP30E4

Transistor canal N RJP30E4, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 360V. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 360V. C (in): 85pF. C (out): 40pF. Courant de collecteur: 30A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 30W. Fonction: IGBT. Ic(puls): 250A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: 150ns, 30W, 40A. Td(off): 90 ns. Td(on): 40 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Type de canal: N...

6.42€

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SGP30N60

Transistor canal N SGP30N60, TO-220, 30A, TO-220AC, 600V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Ic(T=100°C): 30A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 1600pF. C (out): 150pF. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant crête collecteur Ip [A]: 112A. Courant de collecteur Ic [A]: 41A. Courant de collecteur: 41A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 250W. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Délai de coupure tf[nsec.]: 349 ns. Famille de composants: transistor IGBT. Fonction: commandes de moteur, onduleur. Ic(puls): 112A. Marquage du fabricant: G30N60. Marquage sur le boîtier: G30N60. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 291 ns. Td(on): 44 ns. Technologie: IGBT rapide en technologie NPT. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 53 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.4V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 50...

5.15€

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SPA11N80C3

Transistor canal N SPA11N80C3, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 800V. Id (T=100°C): 7.1A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 0.39 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP-3-1. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1600pF. C (out): 800pF. Dissipation de puissance maxi: 41W. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitance'. Id(imp): 33A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 11N80C3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Boîtier entièrement isolé (2500VAC /1 minute). Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.31€

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SPP04N60C3XKSA1

Transistor canal N SPP04N60C3XKSA1, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.78 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-3-1. Tension Vds(max): 800V. C (in): 490pF. C (out): 160pF. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 13.5A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 04N80C3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 58.5 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V...

2.70€

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SPW17N80C3

Transistor canal N SPW17N80C3, 800V, 11A, 17A, 250uA, 0.29 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. Tension drain - source (Vds): 800V. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.29 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 800V. C (in): 2320pF. C (out): 1250pF. Courant de drain maxi: 17A. Dissipation de puissance maxi: 208W. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Id(imp): 51A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 17N80C3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Puissance: 208W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 77 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

13.70€

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SSS7N60A

Transistor canal N SSS7N60A, 2.5A, 4A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 2.5A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1150pF. C (out): 130pF. Dissipation de puissance maxi: 48W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 28A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 72 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: Power-MOSFET (F). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 415 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

1.66€

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STD10NF10

Transistor canal N STD10NF10, 9A, 13A, 10uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V. Id (T=100°C): 9A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.115 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 470pF. C (out): 70pF. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 52A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: D10NF10. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 32 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: MOSFET de puissance STRipFET™ II à faible charge de grille. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 90 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.01€

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STD10NM60N

Transistor canal N STD10NM60N, 5A, 10A, 100uA, 0.53 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 650V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.53 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 650V. C (in): 540pF. C (out): 44pF. Dissipation de puissance maxi: 70W. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitance'. Id(imp): 32A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 10NM60N. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 32 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 315 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.10€

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STD13NM60N

Transistor canal N STD13NM60N, 6.93A, 11A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ), 650V. Id (T=100°C): 6.93A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ). Tension Vds(max): 650V. C (in): 790pF. C (out): 70pF. Dissipation de puissance maxi: 90W. Id(imp): 44A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 13NM60N. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 30 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 290 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.54€

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STD3NK80Z-1

Transistor canal N STD3NK80Z-1, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 800V. Id (T=100°C): 1.57A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 50mA. Résistance passante Rds On: 3.8 Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Tension Vds(max): 800V. C (in): 485pF. C (out): 57pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 70W. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 10A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: D3NK80Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 384 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 75. Vgs(th) min.: 3V...

1.29€

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STD3NK80ZT4

Transistor canal N STD3NK80ZT4, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 800V. Id (T=100°C): 1.57A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 50mA. Résistance passante Rds On: 3.8 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 800V. C (in): 485pF. C (out): 57pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 70W. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 10A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: D3NK80Z. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 384 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 2000. Vgs(th) min.: 3V...

1.38€

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STD7NM60N

Transistor canal N STD7NM60N, 3A, 5A, 100uA, 0.84 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.84 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 600V. C (in): 363pF. C (out): 24.6pF. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitance'. Id(imp): 20A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 7NM60N. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 26 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 213 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.33€

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STF13N80K5

Transistor canal N STF13N80K5, 7.6A, 12A, 50uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Id (T=100°C): 7.6A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.37 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. C (in): 870pF. C (out): 50pF. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 48A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 13N80K5. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 42 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 600 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

6.19€

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STF13NM60N

Transistor canal N STF13NM60N, 8.2A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 8.2A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.28 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 790pF. C (out): 60pF. Dissipation de puissance maxi: 25W. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Id(imp): 52A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 13NM60N. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 30 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.58€

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STF18NM60N

Transistor canal N STF18NM60N, 8.2A, 13A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 8.2A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.26 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1000pF. C (out): 60pF. Dissipation de puissance maxi: 30W. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Id(imp): 52A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 18NM60. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 55 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.59€

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STF3NK80Z

Transistor canal N STF3NK80Z, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Id (T=100°C): 1.57A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 3.8 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. C (in): 485pF. C (out): 57pF. Dissipation de puissance maxi: 25W. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 10A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: F3NK80Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 384 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

1.24€

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STF9NK90Z

Transistor canal N STF9NK90Z, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 900V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO220FP. Tension Vds(max): 900V. C (in): 2115pF. C (out): 190pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 32A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: F9NK90Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 55 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 950 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

2.77€

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STF9NM60N

Transistor canal N STF9NM60N, 4A, 6.5A, 100mA, 0.63 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 4A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 100mA. Résistance passante Rds On: 0.63 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 452pF. C (out): 30pF. Dissipation de puissance maxi: 25W. Fonction: Faible capacité d'entrée et charge de grille. Id(imp): 26A. Idss (min): 1mA. Marquage sur le boîtier: 9NM60N. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: ID pulse 26A. Td(off): 52.5 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 324 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.50€

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STH8NA60FI

Transistor canal N STH8NA60FI, 3.2A, 5A, 250uA, 1.5 Ohms, ISOWATT218FX, ISOWATT218, 600V. Id (T=100°C): 3.2A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: ISOWATT218FX. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1350pF. C (out): 175pF. Dissipation de puissance maxi: 60W. Fonction: transistor MOSFET de puissance rapide. Id(imp): 32A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: H8NA60FI. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Viso 4000V. Td(off): 16 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: 'Enhancement mode'. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 600 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.75V. Vgs(th) min.: 2.25V...

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STP100N8F6

Transistor canal N STP100N8F6, 70A, 100A, 100uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 80V. Id (T=100°C): 70A. Id (T=25°C): 100A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 80V. C (in): 5955pF. C (out): 244pF. Dissipation de puissance maxi: 176W. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 400A. Idss (min): -. Marquage sur le boîtier: 100N8F6. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 103 ns. Td(on): 33 ns. Technologie: STripFET™ F6 technology. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 38 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

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STP10NK60Z

Transistor canal N STP10NK60Z, TO-220, 5.7A, 10A, 50uA, 0.75 Ohms, TO-220, 600V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.75 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1370pF. C (out): 156pF. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 5.7A. Dissipation de puissance maxi: 115W. Fonction: Zener-Protected. Id(imp): 36A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P10NK60Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Protection ESD. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode zéner. Puissance: 115W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 18 ns. Td(on): 55 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 600V. Tension grille-source: ±30V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

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STP10NK60ZFP

Transistor canal N STP10NK60ZFP, 5.7A, 10A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.65 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1370pF. C (out): 156pF. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: Zener-Protected. Id(imp): 36A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P10NK60ZFP. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

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STP10NK80Z

Transistor canal N STP10NK80Z, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. Id (T=100°C): 6A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.78 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 800V. C (in): 2180pF. C (out): 205pF. Dissipation de puissance maxi: 160W. Fonction: protection par diode Zéner. Id(imp): 36A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P10NK80Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 65 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 645 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

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STP10NK80ZFP

Transistor canal N STP10NK80ZFP, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Id (T=100°C): 6A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.78 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. C (in): 2180pF. C (out): 205pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: protégé avec diode zéner. Id(imp): 36A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P10NK80ZFP. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 65 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 645 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V...

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