Transistor canal N STH8NA60FI, 3.2A, 5A, 250uA, 1.5 Ohms, ISOWATT218FX, ISOWATT218, 600V. Id (T=100°C): 3.2A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: ISOWATT218FX. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1350pF. C (out): 175pF. Dissipation de puissance maxi: 60W. Fonction: transistor MOSFET de puissance rapide. Id(imp): 32A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: H8NA60FI. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Viso 4000V. Td(off): 16 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: 'Enhancement mode'. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 600 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.75V. Vgs(th) min.: 2.25V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:54