Transistor canal N STP10NK80ZFP, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V

Transistor canal N STP10NK80ZFP, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V

Quantité
Prix unitaire
1-4
4.20€
5-24
3.83€
25-49
3.57€
50-99
3.34€
100+
2.84€
Quantité en stock: 227

Transistor canal N STP10NK80ZFP, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Id (T=100°C): 6A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.78 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. C (in): 2180pF. C (out): 205pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: protégé avec diode zéner. Id(imp): 36A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P10NK80ZFP. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 65 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 645 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:29

Documentation technique (PDF)
STP10NK80ZFP
30 paramètres
Id (T=100°C)
6A
Id (T=25°C)
9A
Idss (maxi)
50uA
Résistance passante Rds On
0.78 Ohms
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220FP
Tension Vds(max)
800V
C (in)
2180pF
C (out)
205pF
Dissipation de puissance maxi
40W
Fonction
protégé avec diode zéner
Id(imp)
36A
Idss (min)
1uA
Marquage sur le boîtier
P10NK80ZFP
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
oui
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
65 ns
Td(on)
30 ns
Technologie
SuperMESH ™Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
645 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
3V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics