Transistor canal N STP10NK60Z, TO-220, 5.7A, 10A, 50uA, 0.75 Ohms, TO-220, 600V

Transistor canal N STP10NK60Z, TO-220, 5.7A, 10A, 50uA, 0.75 Ohms, TO-220, 600V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.93€
5-24
1.62€
25-49
1.42€
50-99
1.29€
100+
1.11€
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Transistor canal N STP10NK60Z, TO-220, 5.7A, 10A, 50uA, 0.75 Ohms, TO-220, 600V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.75 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1370pF. C (out): 156pF. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 5.7A. Dissipation de puissance maxi: 115W. Fonction: Zener-Protected. Id(imp): 36A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P10NK60Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Protection ESD. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode zéner. Puissance: 115W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 18 ns. Td(on): 55 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 600V. Tension grille-source: ±30V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:29

Documentation technique (PDF)
STP10NK60Z
38 paramètres
Boîtier
TO-220
Id (T=100°C)
5.7A
Id (T=25°C)
10A
Idss (maxi)
50uA
Résistance passante Rds On
0.75 Ohms
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220
Tension Vds(max)
600V
C (in)
1370pF
C (out)
156pF
Conditionnement
tubus
Courant de drain
5.7A
Dissipation de puissance maxi
115W
Fonction
Zener-Protected
Id(imp)
36A
Idss (min)
1uA
Marquage sur le boîtier
P10NK60Z
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Polarité
unipolaire
Propriétés des éléments semi-conducteurs
Protection ESD
Protection G-S
oui
Protection drain-source
diode zéner
Puissance
115W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
18 ns
Td(on)
55 ns
Technologie
Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension drain - source
600V
Tension grille-source
±30V
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
570 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics