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Nous vous proposons une sélection de 810 produits pouvant correspondre à votre recherche de "V-00206" (Transistors FET et MOSFET canal N)

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IRFB52N15D

Transistor canal N IRFB52N15D, 36A, 51A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. Id (T=100°C): 36A. Id (T=25°C): 51A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.032 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 150V. C (in): 2770pF. C (out): 590pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 230W. Fonction: convertisseurs DC-DC haute fréquence, écran plasma. Id(imp): 230A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: FB52N15D. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 28 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 140 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

4.04€

Quantité en stock: 23

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IRFB9N60A

Transistor canal N IRFB9N60A, 5.8A, 9.2A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 5.8A. Id (T=25°C): 9.2A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.75 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1400pF. C (out): 180pF. Dissipation de puissance maxi: 170W. Fonction: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 37A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: commutation rapide. Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 530 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.50€

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IRFBC30

Transistor canal N IRFBC30, 2.3A, 3.6A, 500uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 2.3A. Id (T=25°C): 3.6A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 2.2 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. C (in): 660pF. C (out): 86pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 75W. Fonction: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 14A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 35 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 370 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.38€

Quantité en stock: 100

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IRFBC30A

Transistor canal N IRFBC30A, 2.3A, 3.6A, 250uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 2.3A. Id (T=25°C): 3.6A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 2.2 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. C (in): 510pF. C (out): 70pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 74W. Fonction: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 14A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 19 ns. Td(on): 9.8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 2V...

1.68€

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IRFBE30

Transistor canal N IRFBE30, 2.6A, 4.1A, 500uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. Id (T=100°C): 2.6A. Id (T=25°C): 4.1A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1300pF. C (out): 310pF. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 16A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Td(off): 82 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 480 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.13€

Quantité en stock: 112

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IRFBF20S

Transistor canal N IRFBF20S, 1.1A, 1.7A, 500uA, 8 Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 900V. Id (T=100°C): 1.1A. Id (T=25°C): 1.7A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 8 Ohms. Boîtier: TO-262 ( I2-PAK ). Boîtier (selon fiche technique): TO-262. Tension Vds(max): 900V. C (in): 490pF. C (out): 55pF. Dissipation de puissance maxi: 54W. Fonction: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 6.8A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 56 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 350 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.00€

Quantité en stock: 29

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IRFBG30

Transistor canal N IRFBG30, 2A, 3.1A, 500uA, 5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 1000V. Id (T=100°C): 2A. Id (T=25°C): 3.1A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 5 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 1000V. C (in): 980pF. C (out): 140pF. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 12A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 89 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 410 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.05€

Quantité en stock: 158

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IRFD014

Transistor canal N IRFD014, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 250uA, 0.20 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. Id (T=100°C): 1.2A. Id (T=25°C): 1.7A. Idss: 0.025mA. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 60V. C (in): 310pF. C (out): 160pF. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Fonction: td(on) 10ns, td(off) 13ns. Id(imp): 14A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 4. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 13 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de canal: N. Type de transistor: FET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.01€

Quantité en stock: 26

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IRFD110

Transistor canal N IRFD110, DIP, 0.71A, 1A, 250uA, 0.54 Ohms, DH-1 house, DIP-4, 100V. Boîtier: DIP. Id (T=100°C): 0.71A. Id (T=25°C): 1A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 100V. C (in): 180pF. C (out): 81pF. Charge: 8.3nC. Courant de drain: 700mA, 0.71A. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Id(imp): 8A. Idss (min): 25uA. Marquage du fabricant: IRFD110PBF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 4. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 1.3W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 0.54 Ohms. Td(off): 15 ns. Td(on): 6.9ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 100V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

0.77€

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IRFD123

Transistor canal N IRFD123, 0.94A, 1.3A, 250uA, 0.27 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. Id (T=100°C): 0.94A. Id (T=25°C): 1.3A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 100V. C (in): 360pF. C (out): 150pF. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Id(imp): 10A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 4. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 18 ns. Td(on): 6.8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.56€

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IRFI520G

Transistor canal N IRFI520G, 5.1A, 7.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220FP, TO-220 FULLPAK, 100V. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 7.2A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220 FULLPAK. Tension Vds(max): 100V. C (in): 360pF. C (out): 150pF. Dissipation de puissance maxi: 37W. Fonction: convertisseur de tension DC/DC. Id(imp): 29A. Idss (min): 25uA. Protection G-S: oui. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 19 ns. Td(on): 8.8 ns. Technologie: transistor MOSFET de puissance de troisième génération. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.74€

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IRFI540NPBF

Transistor canal N IRFI540NPBF, 14A, 20A, 250uA, 0.052 Ohms, TO-220FP, TO-220 FULLPAK, 100V. Id (T=100°C): 14A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.052 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220 FULLPAK. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1400pF. C (out): 330pF. Dissipation de puissance maxi: 54W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 110A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 44 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 170 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.64€

Quantité en stock: 24

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IRFI630G

Transistor canal N IRFI630G, 4.1A, 6.5A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=100°C): 4.1A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. C (in): 800pF. C (out): 240pF. Dissipation de puissance maxi: 35W. Id(imp): 36A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: IRFI630G. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 39 ns. Td(on): 9.4 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 170 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.68€

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IRFI740GLC

Transistor canal N IRFI740GLC, 3.6A, 5.7A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 400V. Id (T=100°C): 3.6A. Id (T=25°C): 5.7A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.55 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 400V. C (in): 1100pF. C (out): 190pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: Ultra Low Gate Charge. Id(imp): 23A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Viso 2500V. RoHS: oui. Td(off): 25 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 380 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.59€

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IRFI840G

Transistor canal N IRFI840G, 500V, 0.85 Ohms, TO-220FP, 2.9A, 4.6A, 250uA, TO-220F, 500V. Tension drain - source (Vds): 500V. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Id (T=100°C): 2.9A. Id (T=25°C): 4.6A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1300pF. C (out): 200pF. Courant de drain maxi: 4.6A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Id(imp): 18A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: diode. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 55 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 340 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.30€

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IRFL024N

Transistor canal N IRFL024N, 2.3A, 2.8A, 250uA, 0.075 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V. Id (T=100°C): 2.3A. Id (T=25°C): 2.8A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 55V. C (in): 400pF. C (out): 145pF. Dissipation de puissance maxi: 2.1W. Equivalences: IRFL024NPBF. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 11.2A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 22.2 ns. Td(on): 8.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 35 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

0.75€

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IRFL210

Transistor canal N IRFL210, 0.6A, 0.96A, 250uA, 1.5 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. Id (T=100°C): 0.6A. Id (T=25°C): 0.96A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 200V. C (in): 140pF. C (out): 53pF. Dissipation de puissance maxi: 3.1W. Id(imp): 7.7A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: Fc. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 4. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS FC. RoHS: oui. Td(off): 14 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

0.78€

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IRFP048

Transistor canal N IRFP048, 52A, 70A, 250uA, 0.018 Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V. Id (T=100°C): 52A. Id (T=25°C): 70A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.018 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 60V. C (in): 2400pF. C (out): 1300pF. Dissipation de puissance maxi: 190W. Fonction: PowerMOSFET. Id(imp): 290A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 210 ns. Td(on): 8.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 120ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.94€

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IRFP048NPBF

Transistor canal N IRFP048NPBF, 45A, 64A, 250uA, 0.016 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. Id (T=100°C): 45A. Id (T=25°C): 64A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.016 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 55V. C (in): 1900pF. C (out): 620pF. Dissipation de puissance maxi: 140W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 210A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 32 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET ® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 94 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.57€

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IRFP054

Transistor canal N IRFP054, 64A, 70A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V. Id (T=100°C): 64A. Id (T=25°C): 70A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 60V. C (in): 4500pF. C (out): 2000pF. Dissipation de puissance maxi: 230W. Id(imp): 360A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. RoHS: oui. Td(off): 83 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 270 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

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IRFP064N

Transistor canal N IRFP064N, TO-247, 59A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-247AC, 55V. Boîtier: TO-247. Id (T=100°C): 59A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 55V. C (in): 4000pF. C (out): 1300pF. Charge: 113.3nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 98A. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 390A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 150W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 1K/W. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Td(off): 43 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 25. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

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IRFP140

Transistor canal N IRFP140, 22A, 31A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. Id (T=100°C): 22A. Id (T=25°C): 31A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.077 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1700pF. C (out): 550pF. Dissipation de puissance maxi: 180W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 60.4k Ohms. Idss (min): 25uA. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 180W. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor complémentaire (paire) IRFP9140. RoHS: oui. Td(off): 53 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 180 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

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IRFP1405PBF

Transistor canal N IRFP1405PBF, 110A, 160A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. Id (T=100°C): 110A. Id (T=25°C): 160A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0042 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 55V. C (in): 5600pF. C (out): 1310pF. Dissipation de puissance maxi: 310W. Fonction: Fast Switching, Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 640A. Idss (min): 25uA. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 310W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 140 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

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IRFP140N

Transistor canal N IRFP140N, 16A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. Id (T=100°C): 16A. Id (T=25°C): 33A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.052 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 100V. Dissipation de puissance maxi: 140W. Fonction: PowerMOSFET. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 44 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

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