Recherche de produit: 7-00-HC49 - RPtronics. Page 2 sur 7

2SK3667

Transistor canal N 2SK3667, 7.5A, 7.5A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 7.5A. Id (T=25°C): 7.5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.75 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 30A. Marquage sur le boîtier: K3667. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 150 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1200 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

7.15€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 10

FDMS9620S

Transistor canal N FDMS9620S, 7.5A, 7.5A, SMD, Power-56-8, 30 v. Id (T=25°C): 7.5A. Idss (maxi): 7.5A. Boîtier: SMD. Boîtier (selon fiche technique): Power-56-8. Tension Vds(max): 30 v. Fonction: 7.5A, Rds-on 0.013 Ohms (Q1). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: 7.5A, Rds-on 0.0215 Ohms (Q2). Technologie: double transistor MOSFET canal N. 30V. 'PowerTrench MOSFET'. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

3.62€

Quantité en stock: 1

FQP13N50

Transistor canal N FQP13N50, 7.9A, 12.5A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Id (T=100°C): 7.9A. Id (T=25°C): 12.5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.33 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1800pF. C (out): 245pF. Dissipation de puissance maxi: 170W. Fonction: Vitesse de commutation rapide. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 100 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: transistor MOSFET à canal N (DMOS, QFET). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 290 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

4.88€

Produit obsolète
En rupture de stock
Equivalence disponible

FQPF19N20

Transistor canal N FQPF19N20, 7.5A, 11.8A, 10uA, 0.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=100°C): 7.5A. Id (T=25°C): 11.8A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.12 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. C (in): 1220pF. C (out): 220pF. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 48A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: transistor MOSFET à canal N (DMOS, QFET). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 140 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

2.45€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 19

IRF450

Transistor canal N IRF450, 7.75A, 12A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204A ), 500V. Id (T=100°C): 7.75A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO-204A ). Tension Vds(max): 500V. C (in): 2700pF. C (out): 600pF. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: Repetitive Avalanche Ratings. Id(imp): 48A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 170 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: transistor HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 1600 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

28.80€

Produit obsolète
En rupture de stock

IRL520N

Transistor canal N IRL520N, 7.1A, 10A, 10A, 0.18 Ohms, 100V. Id (T=100°C): 7.1A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 10A. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Tension Vds(max): 100V. Dissipation de puissance maxi: 48W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 35A. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Niveau logique. Technologie: V-MOS TO220A. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

2.33€

Quantité en stock: 69

SPA11N80C3

Transistor canal N SPA11N80C3, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 800V. Id (T=100°C): 7.1A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 0.39 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP-3-1. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1600pF. C (out): 800pF. Dissipation de puissance maxi: 41W. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitance'. Id(imp): 33A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 11N80C3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Boîtier entièrement isolé (2500VAC /1 minute). Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.31€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 301

SPP11N80C3

Transistor canal N SPP11N80C3, 7.1A, 11A, 11A, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 7.1A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 11A. Résistance passante Rds On: 0.39 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. Dissipation de puissance maxi: 156W. Fonction: ID pulse 33A. Id(imp): 33A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: Cool Mos. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

5.30€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 27

SPW11N80C3

Transistor canal N SPW11N80C3, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. Id (T=100°C): 7.1A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 0.39 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1600pF. C (out): 800pF. Dissipation de puissance maxi: 156W. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Id(imp): 33A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 11N80C3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool Mos. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V...

6.29€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 3

STF13N80K5

Transistor canal N STF13N80K5, 7.6A, 12A, 50uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Id (T=100°C): 7.6A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.37 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. C (in): 870pF. C (out): 50pF. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 48A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 13N80K5. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 42 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 600 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

6.19€

Quantité en stock: 50

STP12NM50

Transistor canal N STP12NM50, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220, 550V. Id (T=100°C): 7.5A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 550V. C (in): 1000pF. C (out): 250pF. Dissipation de puissance maxi: 160W. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Id(imp): 48A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P12NM50. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(on): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 270 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

3.80€

Quantité en stock: 47

STP12NM50FP

Transistor canal N STP12NM50FP, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 550V. Id (T=100°C): 7.5A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 550V. C (in): 1000pF. C (out): 250pF. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Id(imp): 48A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P12NM50FP. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(on): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 270 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

4.03€

Quantité en stock: 20

2SK2700

Transistor canal N 2SK2700, 3A, 100uA, 3.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 3.7 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. C (in): 750pF. C (out): 70pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: Convertisseurs DC-DC à commutation haute vitesse et haute tension. Id(imp): 9A. Marquage sur le boîtier: K2700. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 110 ns. Td(on): 55 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1100 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

6.76€

En rupture de stock
Equivalence disponible
Notification de stock

2SK363

Transistor canal N 2SK363, 100uA, 3.7 Ohms, TO-92, TO-92. Idss: 100uA. Résistance passante Rds On: 3.7 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. C (in): 700pF. C (out): 75pF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 125 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Trr Diode (Min.): 850 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

5.94€

Produit obsolète
En rupture de stock

AOY2610E

Transistor canal N AOY2610E, 36A, 46A, 5uA, 7.7m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. Id (T=100°C): 36A. Id (T=25°C): 46A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 7.7m Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 1100pF. C (out): 300pF. Dissipation de puissance maxi: 59.5W. Fonction: High efficiency power supply, secondary synchronus rectifier. Id(imp): 110A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: AOY2610E. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 22 ns. Td(on): 6.5 ns. Technologie: Trench Power AlphaSGTTM technology. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 19 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1.4V...

1.24€

Quantité en stock: 67

BTS50010-1TAE

Transistor canal N BTS50010-1TAE, D²-PAK/7, TO-263, 18V. Boîtier: D²-PAK/7. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 18V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 40A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohm @ 40A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: -. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: S50010E. Nombre de bornes: 6. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: -. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -...

28.12€

Quantité en stock: 80

BTS611L1E

Transistor canal N BTS611L1E, D²-PAK/7, TO-263, 34V. Boîtier: D²-PAK/7. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 34V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 36W. Délai de coupure tf[nsec.]: 400us. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BTS611L1. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 400us. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -...

7.69€

Quantité en stock: 524

BUK100-50GL

Transistor canal N BUK100-50GL, 7.5A, 13.5A, 13.5A, 0.12 Ohms, 50V. Id (T=100°C): 7.5A. Id (T=25°C): 13.5A. Idss (maxi): 13.5A. Résistance passante Rds On: 0.12 Ohms. Tension Vds(max): 50V. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: transistor MOSFET N. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Niveau logique. Technologie: V-MOS. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.20€

Produit obsolète
En rupture de stock

FQP12N60C

Transistor canal N FQP12N60C, TO-220, 600V, 7.4A, 12A, 10uA, 0.53 Ohms, TO-220, 600V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Id (T=100°C): 7.4A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.53 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1760pF. C (out): 182pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 2290pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 12A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.65 Ohms @ 6A. Dissipation de puissance maxi: 225W. Dissipation maximale Ptot [W]: 225W. Délai de coupure tf[nsec.]: 280 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 48A. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: FQP12N60C. Marquage sur le boîtier: FQP12N60C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 140 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: DMOS, QFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 70 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 420 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.69€

Quantité en stock: 22

IPA60R600E6

Transistor canal N IPA60R600E6, 4.6A, 7.3A, 10uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 650V. Id (T=100°C): 4.6A. Id (T=25°C): 7.3A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP-3. Tension Vds(max): 650V. C (in): 440pF. C (out): 30pF. Dissipation de puissance maxi: 28W. Fonction: ID pulse 19A. Id(imp): 19A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 6R600E6. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Remarque: boîtier complètement isolé (2500VAC/60s). RoHS: oui. Td(off): 58 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V...

3.07€

Dernières pièces disponibles
Quantité en stock: 1

IRFI520G

Transistor canal N IRFI520G, 5.1A, 7.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220FP, TO-220 FULLPAK, 100V. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 7.2A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220 FULLPAK. Tension Vds(max): 100V. C (in): 360pF. C (out): 150pF. Dissipation de puissance maxi: 37W. Fonction: convertisseur de tension DC/DC. Id(imp): 29A. Idss (min): 25uA. Protection G-S: oui. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 19 ns. Td(on): 8.8 ns. Technologie: transistor MOSFET de puissance de troisième génération. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.74€

Quantité en stock: 95

IRFPE50

Transistor canal N IRFPE50, 4.7A, 7.8A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V. Id (T=100°C): 4.7A. Id (T=25°C): 7.8A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 800V. C (in): 3100pF. C (out): 800pF. Dissipation de puissance maxi: 190W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 31A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 120ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 650 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.91€

Quantité en stock: 127

IRL40SC228

Transistor canal N IRL40SC228, D²-PAK/7, 40V. Boîtier: D²-PAK/7. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Capacité de grille Ciss [pF]: 19680pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 360A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0005 Ohms @ 100A. Dissipation maximale Ptot [W]: 416W. Délai de coupure tf[nsec.]: 222 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 7. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 67 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.4V...

14.80€

Quantité en stock: 98

NTMFS4744NT1G

Transistor canal N NTMFS4744NT1G, 38A, 53A, 53A, 7.6m Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. Id (T=100°C): 38A. Id (T=25°C): 53A. Idss (maxi): 53A. Résistance passante Rds On: 7.6m Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8FL. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 47W. Fonction: ID pulse 108A/10ms. Id(imp): 108A. Marquage sur le boîtier: 4744N. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 4744N. Technologie: Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

2.11€

Quantité en stock: 13

Rechercher "7-00-HC49"