Transistor canal N 2SK3667, 7.5A, 7.5A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 7.5A. Id (T=25°C): 7.5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.75 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 30A. Marquage sur le boîtier: K3667. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 150 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1200 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:25