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2SK1358

Transistor canal N 2SK1358, 9A, 300uA, 1.1 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 300uA. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1300pF. C (out): 180pF. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: High Speed, tr--25nS tf--20nS. Id(imp): 27A. Idss (min): -. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 100 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Transistor à effet de champ MOS II.5. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V...

8.92€

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2SK1461

Transistor canal N 2SK1461, 2A, 5A, 1mA, 2.8 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3BP, 900V. Id (T=100°C): 2A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 2.8 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3BP. Tension Vds(max): 900V. C (in): 700pF. C (out): 300pF. Dissipation de puissance maxi: 120W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 10A. Idss (min): -. Marquage sur le boîtier: K1461. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 200 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: V-MOS, S-L. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 3V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

2.81€

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2SK1507

Transistor canal N 2SK1507, 9A, 500uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1200pF. C (out): 150pF. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 27A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: K1507. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 160 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: F-II Series POWER MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V...

1.61€

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2SK2039

Transistor canal N 2SK2039, 3A, 5A, 300uA, 1.9 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 300uA. Résistance passante Rds On: 1.9 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 900V. C (in): 690pF. C (out): 120pF. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: haute vitesse. Id(imp): 15A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 210 ns. Td(on): 70 ns. Technologie: V-MOS. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1450 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V...

8.23€

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2SK2043

Transistor canal N 2SK2043, 1A, 2A, 1mA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220FI, 600V. Id (T=100°C): 1A. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 3.2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FI. Tension Vds(max): 600V. C (in): 400pF. C (out): 55pF. Dissipation de puissance maxi: 25W. Fonction: Ultrahigh-Speed Switching. Id(imp): 8A. Idss (min): -. Marquage sur le boîtier: K2043. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 65 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: transistor MOSFET au silicium. Température: +150°C. Tension grille/source VGS (off) max.: 4 v. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

4.70€

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2SK2372

Transistor canal N 2SK2372, 25A, 100uA, 0.23 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. Id (T=25°C): 25A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.23 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 500V. C (in): 3600pF. C (out): 700pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 160W. Fonction: Chopper Regulator, DC-DC Converter. Id(imp): 100A. Marquage sur le boîtier: K2372. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 160 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Transistor MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 30. Vgs(th) min.: 2.5V...

9.69€

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2SK2480

Transistor canal N 2SK2480, 3A, 100uA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 3.2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. C (in): 900pF. C (out): 130pF. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: Applications de commutation haute tension. Id(imp): 12A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 63 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Transistor MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 650 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V...

8.79€

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2SK2538

Transistor canal N 2SK2538, 2A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 250V. C (in): 220pF. C (out): 60pF. Dissipation de puissance maxi: 30W. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 4A. Marquage sur le boîtier: K2538. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 90 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Power F-MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

5.64€

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2SK2545

Transistor canal N 2SK2545, 3A, 6A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.9 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1300pF. C (out): 130pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. Marquage sur le boîtier: K2545. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 150 ns. Td(on): 45 ns. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1000 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

2.50€

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2SK2625LS

Transistor canal N 2SK2625LS, 4A, 1mA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220FI, 600V. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FI. Tension Vds(max): 600V. C (in): 700pF. C (out): 220pF. Dissipation de puissance maxi: 30W. Fonction: Ultrahigh-Speed Switching. Id(imp): 16A. Marquage sur le boîtier: K2625. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 50 ns. Td(on): 20 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source VGS (off) min.: 3.5V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 25 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3.5V...

6.19€

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2SK2632LS

Transistor canal N 2SK2632LS, 1.3A, 2.5A, 1mV, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220FI-LS, 800V. Id (T=100°C): 1.3A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 1mV. Résistance passante Rds On: 3.6 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FI-LS. Tension Vds(max): 800V. C (in): 550pF. C (out): 150pF. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 25W. Fonction: Ultrahigh-Speed Switching Applications. Idss (min): -. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 45 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: V-MOS (F). Tension grille/source VGS (off) max.: 5.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 3.5V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

3.94€

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2SK2640

Transistor canal N 2SK2640, 10A, 10A, 200uA, 0.73 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 500V. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 0.73 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F15. Tension Vds(max): 500V. C (in): 950pF. C (out): 180pF. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 40A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: K2640. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 70 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FAP-IIS Series MOS-FET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 450 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3.5V...

9.70€

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2SK2645

Transistor canal N 2SK2645, 9A, 100nA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 600V. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 100nA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F15. Tension Vds(max): 600V. C (in): 900pF. C (out): 150pF. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 32A. Idss (min): 10nA. Marquage sur le boîtier: K2645. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 60 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FAP-IIS Series MOS-FET. Température de fonctionnement: -...+150°C. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V...

3.73€

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2SK2647

Transistor canal N 2SK2647, 4A, 4A, 200uA, 3.19 Ohms, TO-220, TO-220F15, 800V. Id (T=100°C): 4A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 3.19 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F15. Tension Vds(max): 800V. C (in): 450pF. C (out): 75pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 16A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: K2647. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 50 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: FAP-IIS Series MOS-FET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 450 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V...

7.04€

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2SK2651

Transistor canal N 2SK2651, 3A, 6A, 500uA, 1.78 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 900V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 1.78 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F15. Tension Vds(max): 900V. C (in): 900pF. C (out): 130pF. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 24A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 70 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FAP-IIS Series. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V...

4.44€

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2SK2662

Transistor canal N 2SK2662, 5A, 100uA, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.35 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 500V. C (in): 780pF. C (out): 200pF. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: High Speed Switching, Zener-Protected. Id(imp): 20A. Marquage sur le boîtier: K2662. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 60 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Transistor à effet de champ (TT-MOS V). Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1400 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.18€

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2SK2671

Transistor canal N 2SK2671, 5A, 250uA, 2.1 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 900V. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 2.1 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F15. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1140pF. C (out): 105pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Id(imp): 10A. Idss (min): na. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 210 ns. Td(on): 55 ns. Technologie: HVX-2 Series POWER MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): na. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V...

5.25€

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Quantité en stock: 31

2SK2699

Transistor canal N 2SK2699, 6A, 12A, 100uA, 0.50 Ohms, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 600V. Id (T=100°C): 6A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.50 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO3P ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 600V. C (in): 2600pF. C (out): 270pF. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Id(imp): 48A. Marquage sur le boîtier: K2699. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 65 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 460 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.47€

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2SK2700

Transistor canal N 2SK2700, 3A, 100uA, 3.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 3.7 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. C (in): 750pF. C (out): 70pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: Convertisseurs DC-DC à commutation haute vitesse et haute tension. Id(imp): 9A. Marquage sur le boîtier: K2700. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 110 ns. Td(on): 55 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1100 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

6.76€

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2SK2715TL

Transistor canal N 2SK2715TL, 2A, 100uA, 2A, 3 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 500V. Id (T=25°C): 2A. Idss: 100uA. Idss (maxi): 2A. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 500V. C (in): 280pF. C (out): 58pF. Dissipation de puissance maxi: 20W. Fonction: Vitesse de commutation rapide. Id(imp): 6A. Marquage sur le boîtier: K2715. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 30 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 410 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.49€

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2SK2717

Transistor canal N 2SK2717, 5A, 100uA, 2.3 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 2.3 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1200pF. C (out): 20pF. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: Convertisseurs DC-DC à commutation haute vitesse et haute tension. Id(imp): 15A. Marquage sur le boîtier: K2717. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 200 ns. Td(on): 90 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

10.71€

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2SK2750

Transistor canal N 2SK2750, 3.5A, 100uA, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=25°C): 3.5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.7 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 800pF. C (out): 65pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: Chopper Regulator, DC-DC Converter. Id(imp): 14A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: K2750. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 85 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSV). Température de fonctionnement: -...+150°C. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1400 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.25€

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Quantité en stock: 69

2SK2761

Transistor canal N 2SK2761, 5.5A, 10A, 500uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 5.5A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1100pF. C (out): 170pF. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 36A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 75 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: V-MOS. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V...

4.43€

Quantité en stock: 2

2SK2828

Transistor canal N 2SK2828, 12A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-3P, 700V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.9 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 700V. C (in): 1850pF. C (out): 400pF. Fonction: Commutation de puissance à haute vitesse. Id(imp): 48A. Idss (min): na. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Puissance: 175W. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 140 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: transistor MOSFET canal N. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tf(min): TO-3P ( TO3P ). Trr Diode (Min.): 2.5us. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

4.22€