Transistor canal N 2SK2480, 3A, 100uA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

Transistor canal N 2SK2480, 3A, 100uA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

Quantité
Prix unitaire
1-4
8.67€
5-24
7.85€
25-49
7.24€
50+
6.78€
Quantité en stock: 12

Transistor canal N 2SK2480, 3A, 100uA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 3.2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. C (in): 900pF. C (out): 130pF. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: Applications de commutation haute tension. Id(imp): 12A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 63 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Transistor MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 650 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Produit d'origine constructeur: Nec. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:31

Documentation technique (PDF)
2SK2480
28 paramètres
Id (T=25°C)
3A
Idss (maxi)
100uA
Résistance passante Rds On
3.2 Ohms
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220F
Tension Vds(max)
900V
C (in)
900pF
C (out)
130pF
Dissipation de puissance maxi
35W
Fonction
Applications de commutation haute tension
Id(imp)
12A
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
63 ns
Td(on)
17 ns
Technologie
Transistor MOSFET
Température
+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
650 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
3.5V
Vgs(th) min.
2.5V
Produit d'origine constructeur
Nec