Transistor canal N 2SK2632LS, 1.3A, 2.5A, 1mV, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220FI-LS, 800V

Transistor canal N 2SK2632LS, 1.3A, 2.5A, 1mV, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220FI-LS, 800V

Quantité
Prix unitaire
1-4
3.89€
5-9
3.58€
10-24
3.34€
25-49
3.15€
50+
2.81€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 2

Transistor canal N 2SK2632LS, 1.3A, 2.5A, 1mV, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220FI-LS, 800V. Id (T=100°C): 1.3A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 1mV. Résistance passante Rds On: 3.6 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FI-LS. Tension Vds(max): 800V. C (in): 550pF. C (out): 150pF. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 25W. Fonction: Ultrahigh-Speed Switching Applications. Idss (min): -. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 45 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: V-MOS (F). Tension grille/source VGS (off) max.: 5.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 3.5V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Sanyo. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:31

Documentation technique (PDF)
2SK2632LS
24 paramètres
Id (T=100°C)
1.3A
Id (T=25°C)
2.5A
Idss (maxi)
1mV
Résistance passante Rds On
3.6 Ohms
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220FI-LS
Tension Vds(max)
800V
C (in)
550pF
C (out)
150pF
Diode au Germanium
non
Dissipation de puissance maxi
25W
Fonction
Ultrahigh-Speed Switching Applications
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
Td(off)
45 ns
Td(on)
15 ns
Technologie
V-MOS (F)
Tension grille/source VGS (off) max.
5.5V
Tension grille/source VGS (off) min.
3.5V
Tension grille/source Vgs
30 v
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Produit d'origine constructeur
Sanyo

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