Transistor canal N 2SK2662, 5A, 100uA, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.35 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 500V. C (in): 780pF. C (out): 200pF. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: High Speed Switching, Zener-Protected. Id(imp): 20A. Marquage sur le boîtier: K2662. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 60 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Transistor à effet de champ (TT-MOS V). Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1400 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:31